2025年度活動報告・上野・リム研究室

スタッフ
発表論文
総説、解説等
著書
学会発表（予定を含む）
研究会、セミナー講演
外部資金獲得状況
学会等の活動

スタッフ

教授　上野　啓司
- 2025年度　基礎化学プログラム・基礎化学科長
助教　リム　ホンエン
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発表論文

“Frequency-modulation atomic force microscopy observation of 1T-TaS₂ in the nearly commensurate charge density wave phase”
T. Ono, T. Shigeno, Y. Yasui, M. Fukuda, T. Ozaki, K. Ueno and Y. Sugimoto
Appl. Phys. Lett. 126 (2025) 263102
https://doi.org/10.1063/5.0273456
“Structural and electric characterization of sputtered Pt/WSe₂ contacts toward high performance 2D p-FETs”
R. Nakajima, T. Nishimura, K. Kanahashi, S. Hatayama, W.H. Chang, Y. Saito, T. Irisawa, K. Ueno, Y. Miyata, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
ACS Omega 10 (2025) 42973-42979
https://doi.org/10.1021/acsomega.5c05764
“Patterning of layered semiconductor GeS₂ by laser photooxidation and water immersion”
S. Tahara, K. Ueno, K. Kamiya, T. Sakai, R. Nouchi
Nanoscale 17 (2025) 25877-25883
https://doi.org/10.1039/D5NR01130B
“Quantitative ToF-SIMS Assessment of In-Plane and Out-of-Plane Nb Doping Uniformity in CVT-Grown MoS₂ Crystals”
I. Tanaka, M. Wei, T. Nishimura, K. Kanahashi, S. Morito, K. Ueno, A. Azizi, K. Nagashio
Small Methods 9 (2025) e01405
https://doi.org/10.1002/smtd.202501405

総説、解説等

著書

学会発表（予定を含む）

2026年　第73回応用物理学会春季学術講演会（2026年3月15～18日、ハイブリッド開催（東京科学大学　大岡山キャンパス＋オンライン））
- Re置換ドープMoSe₂によるSS < 60 mV/decのP-TFET動作実証
  - ¹東大マテ工、²埼玉大、³NIMS　^〇杉山紀成¹、森戸智²、若林采佳²、西村知紀¹、金橋魁利¹、谷口尚³、渡邊賢司³、上野啓司²、長汐晃輔¹　15p-M_124-2
- 元素置換ドープTMDCを用いた面内トンネルFETにおけるボルツマン限界以下サブスレッショルドスイングの実証
  - ¹東大マテ工、²埼玉大院理工　^〇金橋魁利¹、西村知紀¹、上野啓司²、長汐晃輔¹　15p-M_124-4
- 電極蒸着で生じた歪みによるWSe₂ FETの電気特性の変化
  - ¹東京大、²埼玉大、³NIMS　^〇中島隆一¹、西村知紀¹、金橋魁利¹、上野啓司²、遠藤尚彦³、宮田耕充³、長汐晃輔¹　15p-M_124-12
- TaO_xゲートMoS₂FETにおけるヒステリシス機構の検証
  - ¹関西大院理工、²九州大院工、³国立中興大学、⁴埼玉院理工　^〇佐橋悠太朗¹、麻生亮太郎²、富田雄人²、Lin Che-Yi³、稲田貢¹、上野啓司⁴、Lin Yen-Fu³、山本真人¹　16a-M_178-8
- W前駆体を用いた基板／金界面へのWS₂薄膜成長
  - 埼玉大院理工　^〇武居建汰、上野啓司、リムホンエン　16p-PA7-4
- ミストCVDにより成膜した高誘電率絶縁膜上への遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜成長
  - ¹立命館大理工、²R-GIRO、³埼玉大理、⁴神奈川大　川上滉之朗¹、^〇松岡友希¹、田村天琉¹、クドゥスアブドゥル²、上野啓司³、リムホンエン³、白井肇⁴、毛利真一郎¹　16p-PA7-8
- 化学気相成長法によるβ相MoTe₂ナノリボンの成長制御
  - ¹埼玉大院理工、²産総研、³東大院新領域、⁴物材機構　^〇山田樹¹、斎藤慎太朗¹、劉崢²、中西勇介³、宮田耕充⁴、上野啓司¹、リムホンエン¹　16p-PA7-13
- プラズマ処理・セレン化による MoSe₂/Janus SMoSe の形成
  - 埼玉大院理工　^〇山口真由、上野啓司、リムホンエン　16p-PA7-17
- セレン化ガリウム単層膜のエピタキシャル成長とヤヌス化
  - 埼玉大院理工　^〇元木友佑、リムホンエン、上野啓司　16p-PA7-18
- 液相剥離TaS₂を酸化して得られたTaO_x薄膜の絶縁性評価
  - ¹関西大システム理工、²関西大院理工、³埼玉大院理工　^〇河井蒼空¹、能見彩音²、新井洸大²、稲田貢²、佐藤伸吾²、高橋智一²、青柳誠司²、上野啓司³、山本真人²　16p-PA7-27
- セレン化インジウムをチャネル層とする電界効果トランジスタの高性能化と動作安定化
  - 埼玉大院理工　^〇渡邊陽斗、リムホンエン、上野啓司　16p-PA7-28
- アンバイポーラ動作抑制に向けたWSe₂ P-FETの2Dコンタクト形成
  - ¹東大マテ工、²埼玉大、³NIMS　^〇杉山紀成¹、森戸智²、若林采佳²、西村知紀¹、金橋魁利¹、谷口尚³、渡邊賢司³、上野啓司²、長汐晃輔¹　16p-PA7-37
- Low-Power GaS Phototransistors with Mist-CVD-Grown Al-Ti-O Gate Dielectrics
  - ¹Ritsumeikan Univ., ²Saitama Univ., ³Kanagawa Univ.　^〇Abdul A Kuddus¹, Tenryu Tamura¹, Keiji Ueno², Hajime Shirai^3,2, Shinichiro Mouri¹　18a-PA3-19
38th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2025) (Nov. 17-20, KFC Hall and Rooms, Tokyo)
- Synthesis of Janus Layered Group-13 Monochalcogenide Atomic Layers
  - ^○S. Yamaguchi, H.E. Lim, and K. Ueno, 19P-1-14
The 16th International Conference on Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research (RPGR2025) (Nov. 3-7, 2025, Toyama International Conference Center, Toyama)
- Large-scale synthesis of 1D β-MoTe₂
  - ^○H.E. Lim, 1-18
第69回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2025年9月24-26日、国立台湾師範大学）
- Gate-modulated PL spectroscopy for Nb doping effect in monolayer WSe₂
  - ^○Soma Toda, Kaito Kanahashi, Tomonori Nishimura, Satoru Morito, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio, 1P-16
- Formation of a TaO_x thin film on MoS₂ by the solution process
  - ^○Ayane Nomi, Mitsuru Inada, Keiji Ueno, Mahito Yamamoto, 1P-29
- Charge trap memory based on MoS₂ on He⁺-irradiated h-BN
  - ^○Mahito Yamamoto, Che-Yi Lin, Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Yukinori Morita, Shinichi Ogawa, Yutaka Wakayama, Yen-Fu Lin, 2P-28
- Direct Growth of Mono/Bilayer MoS₂ on Mist CVD-Grown High-k Composite Oxides for Advanced TMD Optoelectronics
  - ^○Koshiro Kawakami, Abdul Kuddus, Lim Hong En, Keiji Ueno, Hajime Shirai, Tenryu Tamura, Shinichiro Mouri, 2P-39
- High-density growth of one-dimensional 1T’-MoTe₂
  - ^○Hong En Lim, Itsuki Yamada, Shintaro Saito, Zheng Liu, Yusuke Nakanishi, Yasumitsu Miyata, Keiji Ueno, 2P-46
- Ion-Gated Operation of In-plane Heterodimensional Tunnel FETs with degenerate Nb-doped WSe₂
  - ^○Kaito Kanahashi, Tomonori Nishimura, Satoru Morito, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio, 2-6
- Atomic-scale analysis of defects in Nb-doped WSe₂ via scanning transmission electron microscopy image processing
  - ^○Kohei Aso, Kaito Kanahashi, Mai Nakashima, Takafumi Kakeya, Itsuki Tanaka, Yukiko Yamada-Takamura, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio, Yoshifumi Oshima, 3P-31
- Direct Synthesis of High-κ Dielectric Al_1-xHf_xO_y on ITO by Mist CVD towards MoS₂ Phototransistor Devices
  - ^○Tenryu Tamura, Abdul Kuddus, Hajime Shirai, Keiji Ueno, Shinichiro Mouri, 3P-39
2025年　第86回応用物理学会秋季学術講演会（2025年9月7−10日、ハイブリッド開催（名城大学　天白キャンパス＋オンライン））
- Au/SiO₂界⾯のW薄膜硫化によるWS₂薄膜直接成⻑
  - 埼⼤院理⼯　^〇秋元千佳、上野啓司、リムホンエン　7a-P05-45
- Janus Ga₂SSeの合成とそのRamanスペクトルの第一原理計算による検討
  - 埼⼤院理⼯　^〇山口頌平、リムホンエン、上野啓司　7a-P05-50
- 層状1T’-MoTe₂と線状Mo₆Te₆ナノリボンの相互転移
  - 埼玉⼤院理⼯　^〇中野颯、山田樹、斎藤慎太朗、上野啓司、リムホンエン　7a-P05-51
- 硫化ガリウムをバッファ層とする層状物質チャネル電界効果トランジスタにおけるヒステリシスの低減
  - 埼玉⼤院理⼯　^〇椎名嶺、リムホンエン、上野啓司　7a-P05-69
- TaS₂上にオゾン酸化形成したTaO_x膜をゲート誘電体とするMoS₂ FETのヒステリシス特性
  - ¹関⻄⼤院理⼯、²埼玉⼤院理⼯　^〇佐橋悠太朗¹、稲田貢¹、上野啓司²、山本真人¹　7a-P05-78
- ゲート変調PL法を⽤いた単層WSe₂におけるNbドーピング効果の考察
  - ¹東⼤マテ⼯、²埼玉⼤院理⼯　^〇⼾田颯天¹、⾦橋魁利¹、⻄村知紀¹、森⼾智²、上野啓司²、⻑汐晃輔¹　8p-N302-13
- 高濃度置換ドープ WSe₂によるEsaki Diodeデバイス評価
  - ¹東⼤マテ⼯、²埼玉⼤院理⼯、³NIMS　^〇杉山紀成¹、森⼾智²、⻄村知紀¹、⾦橋魁利¹、谷口尚³、渡邊賢司³、上野啓司²、⻑汐晃輔¹　10a-S102-3

研究会、セミナー講演

外部資金獲得状況

2024～2027年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「層状13族モノカルコゲナイドのヤヌス化による新奇機能性発現」
2022〜2026年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｓ）　代表：長汐晃輔（東京大学）　「超低消費電力システム構築のための２次元トンネルＦＥＴの集積化」研究分担者
2022～2025年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）　代表：山本真人（関西大学）　「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」　研究分担者
2023～2025年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：リムホンエン　「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」

学会等の活動

上野：日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　委員