2025年度活動報告・上野・リム研究室

スタッフ

発表論文

  1. “Frequency-modulation atomic force microscopy observation of 1T-TaS2 in the nearly commensurate charge density wave phase”
    T. Ono, T. Shigeno, Y. Yasui, M. Fukuda, T. Ozaki, K. Ueno and Y. Sugimoto
    Appl. Phys. Lett. 126 (2025) 263102
    https://doi.org/10.1063/5.0273456

総説、解説等

著書

学会発表(予定を含む)

  • 2025年 第86回応用物理学会秋季学術講演会(2025年9月7−10日、ハイブリッド開催(名城大学 天白キャンパス+オンライン))
    • Au/SiO2界⾯のW薄膜硫化によるWS2薄膜直接成⻑
      • 埼⼤院理⼯ 秋元 千佳、上野 啓司、リム ホンエン 7a-P05-45
    • Janus Ga2SSeの合成とそのRamanスペクトルの第一原理計算による検討
      • 埼⼤院理⼯ 山口 頌平、リム ホンエン、上野 啓司 7a-P05-50
    • 層状1T’-MoTe2と線状Mo6Te6ナノリボンの相互転移
      • 埼玉⼤院理⼯ 中野 颯、山田 樹、斎藤 慎太朗、上野 啓司、リム ホンエン 7a-P05-51
    • 硫化ガリウムをバッファ層とする層状物質チャネル電界効果トランジスタにおけるヒステリシスの低減
      • 埼玉⼤院理⼯ 椎名 嶺、リム ホンエン、上野 啓司 7a-P05-69
    • TaS2上にオゾン酸化形成したTaOx膜をゲート誘電体とするMoS2 FETのヒステリシス特性
      • 1関⻄⼤院理⼯、2埼玉⼤院理⼯ 佐橋 悠太朗1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 7a-P05-78
    • ゲート変調PL法を⽤いた単層WSe2におけるNbドーピング効果の考察
      • 1東⼤マテ⼯、2埼玉⼤院理⼯ ⼾田 颯天1、⾦橋 魁利1、⻄村 知紀1、森⼾ 智2、上野 啓司2、⻑汐 晃輔1 8p-N302-13
    • 高濃度置換ドープ WSe2によるEsaki Diodeデバイス評価
      • 1東⼤マテ⼯、2埼玉⼤院理⼯、3NIMS 杉山 紀成1、森⼾ 智2、⻄村 知紀1、⾦橋 魁利1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、上野 啓司2、⻑汐 晃輔1 10a-S102-3

研究会、セミナー講演

外部資金獲得状況

  • 2024~2027年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究(C) 代表:上野啓司 「層状13族モノカルコゲナイドのヤヌス化による新奇機能性発現」
  • 2022〜2026年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(S) 代表:長汐晃輔(東京大学) 「超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化」研究分担者
  • 2022~2025年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(B) 代表:山本真人(関西大学) 「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」 研究分担者
  • 2023~2025年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究(C) 代表:リムホンエン 「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」

学会等の活動

  • 上野:日本表面真空学会 真空技術調査部会 研究例会企画専門部会 委員
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