2025年度活動報告・上野・リム研究室

スタッフ

• 教授　上野　啓司
  • 2025年度　基礎化学プログラム・基礎化学科長
• 助教　リム　ホンエン
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発表論文

1. “Frequency-modulation atomic force microscopy observation of 1T-TaS₂ in the nearly commensurate charge density wave phase”
   T. Ono, T. Shigeno, Y. Yasui, M. Fukuda, T. Ozaki, K. Ueno and Y. Sugimoto
   Appl. Phys. Lett. 126 (2025) 263102
   https://doi.org/10.1063/5.0273456
2. “Structural and electric characterization of sputtered Pt/WSe₂ contacts toward high performance 2D p-FETs”
   R. Nakajima, T. Nishimura, K. Kanahashi, S. Hatayama, W.H. Chang, Y. Saito, T. Irisawa, K. Ueno, Y. Miyata, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
   ACS Omega 10 (2025) 42973-42979
   https://doi.org/10.1021/acsomega.5c05764
3. “Patterning of layered semiconductor GeS₂ by laser photooxidation and water immersion”
   S. Tahara, K. Ueno, K. Kamiya, T. Sakai, R. Nouchi
   Nanoscale, accepted for publication
4. “Quantitative ToF-SIMS Assessment of In-Plane and Out-of-Plane Nb Doping Uniformity in CVT-Grown MoS₂ Crystals”
   I. Tanaka, M. Wei, T. Nishimura, K. Kanahashi, S. Morito, K. Ueno, A. Azizi, K. Nagashio
   Small Methods, accepted for publication

総説、解説等

著書

学会発表（予定を含む）

• 第69回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2025年9月24-26日、国立台湾師範大学）
  • Gate-modulated PL spectroscopy for Nb doping effect in monolayer WSe₂
    • ^○Soma Toda, Kaito Kanahashi, Tomonori Nishimura, Satoru Morito, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio, 1P-16
  • Formation of a TaO_x thin film on MoS₂ by the solution process
    • ^○Ayane Nomi, Mitsuru Inada, Keiji Ueno, Mahito Yamamoto, 1P-29
  • Charge trap memory based on MoS₂ on He⁺-irradiated h-BN
    • ^○Mahito Yamamoto, Che-Yi Lin, Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Yukinori Morita, Shinichi Ogawa, Yutaka Wakayama, Yen-Fu Lin, 2P-28
  • Direct Growth of Mono/Bilayer MoS₂ on Mist CVD-Grown High-k Composite Oxides for Advanced TMD Optoelectronics
    • ^○Koshiro Kawakami, Abdul Kuddus, Lim Hong En, Keiji Ueno, Hajime Shirai, Tenryu Tamura, Shinichiro Mouri, 2P-39
  • High-density growth of one-dimensional 1T’-MoTe₂
    • ^○Hong En Lim, Itsuki Yamada, Shintaro Saito, Zheng Liu, Yusuke Nakanishi, Yasumitsu Miyata, Keiji Ueno, 2P-46
  • Ion-Gated Operation of In-plane Heterodimensional Tunnel FETs with degenerate Nb-doped WSe₂
    • ^○Kaito Kanahashi, Tomonori Nishimura, Satoru Morito, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio, 2-6
  • Atomic-scale analysis of defects in Nb-doped WSe₂ via scanning transmission electron microscopy image processing
    • ^○Kohei Aso, Kaito Kanahashi, Mai Nakashima, Takafumi Kakeya, Itsuki Tanaka, Yukiko Yamada-Takamura, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio, Yoshifumi Oshima, 3P-31
  • Direct Synthesis of High-κ Dielectric Al_1-xHf_xO_y on ITO by Mist CVD towards MoS₂ Phototransistor Devices
    • ^○Tenryu Tamura, Abdul Kuddus, Hajime Shirai, Keiji Ueno, Shinichiro Mouri, 3P-39
• 2025年　第86回応用物理学会秋季学術講演会（2025年9月7−10日、ハイブリッド開催（名城大学　天白キャンパス＋オンライン））
  • Au/SiO₂界⾯のW薄膜硫化によるWS₂薄膜直接成⻑
    • 埼⼤院理⼯　^〇秋元 千佳、上野 啓司、リム ホンエン　7a-P05-45
  • Janus Ga₂SSeの合成とそのRamanスペクトルの第一原理計算による検討
    • 埼⼤院理⼯　^〇山口 頌平、リム ホンエン、上野 啓司　7a-P05-50
  • 層状1T’-MoTe₂と線状Mo₆Te₆ナノリボンの相互転移
    • 埼玉⼤院理⼯　^〇中野 颯、山田 樹、斎藤 慎太朗、上野 啓司、リム ホンエン　7a-P05-51
  • 硫化ガリウムをバッファ層とする層状物質チャネル電界効果トランジスタにおけるヒステリシスの低減
    • 埼玉⼤院理⼯　^〇椎名 嶺、リム ホンエン、上野 啓司　7a-P05-69
  • TaS₂上にオゾン酸化形成したTaO_x膜をゲート誘電体とするMoS₂ FETのヒステリシス特性
    • ¹関⻄⼤院理⼯、²埼玉⼤院理⼯　^〇佐橋 悠太朗¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹　7a-P05-78
  • ゲート変調PL法を⽤いた単層WSe₂におけるNbドーピング効果の考察
    • ¹東⼤マテ⼯、²埼玉⼤院理⼯　^〇⼾田 颯天¹、⾦橋 魁利¹、⻄村 知紀¹、森⼾ 智²、上野 啓司²、⻑汐 晃輔¹　8p-N302-13
  • 高濃度置換ドープ WSe₂によるEsaki Diodeデバイス評価
    • ¹東⼤マテ⼯、²埼玉⼤院理⼯、³NIMS　^〇杉山 紀成¹、森⼾ 智²、⻄村 知紀¹、⾦橋 魁利¹、谷口 尚³、渡邊 賢司³、上野 啓司²、⻑汐 晃輔¹　10a-S102-3

研究会、セミナー講演

外部資金獲得状況

• 2024～2027年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「層状13族モノカルコゲナイドのヤヌス化による新奇機能性発現」
• 2022〜2026年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｓ）　代表：長汐晃輔（東京大学）　「超低消費電力システム構築のための２次元トンネルＦＥＴの集積化」研究分担者
• 2022～2025年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）　代表：山本真人（関西大学）　「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」　研究分担者
• 2023～2025年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：リムホンエン　「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」

学会等の活動

• 上野：日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　委員