2024年度活動報告・上野・リム研究室

スタッフ

• 教授　上野　啓司
  • 2024年度　基礎化学プログラム・基礎化学科長
• 助教　リム　ホンエン
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発表論文

1. “Realization of single MoTe₂ crystal in-plane TFET by laser-induced doping technique”
   T. Xie, M. Ke, K.Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, and N. Aoki
   Appl. Phys. Lett. 124 (2024) 211904
   https://doi.org/10.1063/5.0197172
2. “Contact Properties on a Semiconducting MoTe₂ Crystal Using Polymorphic Structures”
   T. Xie, M. Ke, P. Krüger, K. Ueno, and N. Aoki
   ACS Appl. Electron. Mater. 6 (2024) 7026–7034
   https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01369
3. “Spatial and reconfigurable control of photoluminescence from single-layer MoS₂ using a strained VO₂-based Fabry-Perot cavity”
   K. Nakayama, S. Toida, T. Endo, M. Inada, S. Sato, H. Tani, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, Y. Miyata, K. Matsuda, and M. Yamamoto
   Appl. Phys. Lett. 125 (2024) 223106
   https://doi.org/10.1063/5.0236517

総説、解説等

著書

学会発表（予定を含む）

• 2024年　第85回応用物理学会秋季学術講演会（2024年9月16～20日、ハイブリッド開催（新潟・朱鷺メッセほか2会場＋オンライン））
  • 層状13族モノカルコゲナイド原子膜のJanus化
    • 埼玉大院理工　^○山口 頌平、リム ホンエン、上野 啓司　17a-P01-52
  • TaO_x/TaS₂ヘテロ構造を用いたMoS₂浮遊ゲートFETの作製
    • ¹関西大院理工、²埼玉大院理工　^○佐橋 悠太朗¹、稲田 貢¹、佐藤 伸吾¹、上野 啓司²、山本 真人¹　17a-P01-62
  • VO_x/VSe₂ ヘテロ構造における抵抗変化メモリ動作の評価
    • ¹関西大院理工、²埼玉大院理工　^○中村 優太¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹ 　17a-P01-63
  • Charge trap memory based on MoS₂ with He⁺-irradiated h-BN as a trapping layer
    • ¹Kansai Univ., ²NIMS, ³Saitama Univ., ⁴AIST, ⁵Tokyo Univ. Tech.　^○Mahito Yamamoto¹, Takuya Iwasaki², Keiji Ueno³, Takashi Taniguchi², Kenji Watanabe², Yukinori Morita⁴, Shinichi Ogawa⁴, Yutaka Wakayama², Shu Nakaharai⁵ 　18p-A36-6
  • 2次元層状半導体の光学応答における高次フォノン周波数発生
    • ¹沖縄科技大、²筑波大数理、³産総研、⁴東北大工、⁵慶大電情、⁶埼大院理工　^○福田 拓未^1,2、牧野 孝太郎³、齊藤 雄太⁴、フォンス ポール⁵、石川 良⁶、上野 啓司⁶、長谷 宗明²　19p-A25-2
  • 二次元層状物質WSe₂からのテラヘルツ波発生における光電流効果の研究
    • ¹筑波大数理物質、²福井大遠赤セ、³埼玉大院理工　^○山田 知穂¹、上野 啓司³、谷 正彦²、Jessica Afalla¹、長谷 宗明¹　19p-A25-9
  • スパッタPt電極の適用によるWSe₂ p-FETの向上
    • ¹東京大、²埼玉大、³都立大、⁴産総研、⁵NIMS、⁶東北大　^○中島 隆一¹、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、上野 啓司²、宮田 耕充³、畑山 祥吾⁴、齊藤 雄太^4,6、入沢 寿史⁴、谷口 尚⁵、渡邊 賢司⁵、長汐 晃輔¹　19p-A31-4
  • トンネルFET用高濃度ソース材料のCVT合成における輸送剤選択
    • ¹東大院工、²埼玉大院理工　^○杉山 紀成¹、森戸 智²、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、上野 啓司²、長汐 晃輔¹　19p-A31-11
  • 劈開単層MoS₂のToF-SIMSによるNb不純物均一性評価
    • ¹東大工、²埼玉大理　^○田中 一樹¹、西村 知紀¹、金橋 魁利¹、上野 啓司²、長汐 晃輔¹　19p-A31-12
  • Post-Annealing derived Mist CVD AlO_x/Al_xM_1-xO_y (M=Al, Hf) Properties for High-Temperature Sensors Applications
    • ¹Ritsumeikan Univ., ²Saitama Univ.　^○Abdul A Kuddus¹, Keiji Ueno², Hajime Shirai², Shinichiro Mouri¹　19p-P05-27
  • 層状半導体GeS₂のレーザー光酸化パターニング
    • ¹大阪公立大院工、²埼玉大院理工　^○田原 匠陽¹、上野 啓司²、野内 亮¹　20a-A31-7
• 日本物理学会　第79回年次大会（2024年9月16～19日、北海道大学）
  • 1T-TaS₂の一軸圧力印加ARPES
    • 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSIS^C, 高エ研物構研^D, 埼玉大院理工^E, 東北大SRIS^F, 東北大MathCCS^G　鈴木崇人^A, 栁沢幸紀^A, 中山耕輔^A, 菅原克明^A,B, 相馬清吾^B,C, 小澤健一^D, 上野啓司^E, 高橋隆^A, 佐藤宇史^A,B,C,F,G　16pE312-8
  • TiSe₂のCDW転移に伴う電子状態変化
    • 阪大産研, 埼玉大^A, 分子研^B 田中慎一郎, 菅滋正, 上野啓司^A, 福谷圭祐^B, 牧田誠二^B, 松井文彦^B, 田中清尚^A 17aPS-86
• 第67回　フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2024年9月1〜3日、高知工科大学）
  • Transition from p⁺-type to ambipolar in both non-degenerated and degenerated Nb-doped WSe₂
    • ^○Kaito Kanahashi, Itsuki Tanaka, Tomonori Nishimura, Kohei Aso, Limi Chen, Takafumi Kakeya, Yoshifumi Oshima, Yukiko Yamada-Takamura, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio　3-5

研究会、セミナー講演

外部資金獲得状況

• 2021～2024年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」（1年延長）
• 2024～2027年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「層状13族モノカルコゲナイドのヤヌス化による新奇機能性発現」
• 2022〜2026年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｓ）　代表：長汐晃輔（東京大学）　「超低消費電力システム構築のための２次元トンネルＦＥＴの集積化」研究分担者
• 2022～2025年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）　代表：山本真人（関西大学）　「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」　研究分担者
• 2022～2024年度　国立研究開発法人科学技術振興機構　国際科学技術協力基盤整備事業　日本-台湾研究交流(AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術)　代表：山本真人（関西大学）「神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出」　研究分担者
• 2023～2025年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：リムホンエン　「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」

学会等の活動

• 上野：日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　委員