2024年度活動報告・上野・リム研究室
2024.02.252024.09.05
スタッフ
発表論文
“Realization of single MoTe2 crystal in-plane TFET by laser-induced doping technique” T. Xie, M. Ke, K.Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, and N. AokiAppl. Phys. Lett. 124 (2024) 211904https://doi.org/10.1063/5.0197172
総説、解説等
著書
学会発表(予定を含む)
2024年 第85回応用物理学会秋季学術講演会(2024年9月16~20日、ハイブリッド開催(新潟・朱鷺メッセほか2会場+オンライン))
層状13族モノカルコゲナイド原子膜のJanus化
埼玉大院理工 ○ 山口 頌平、リム ホンエン、上野 啓司 17a-P01-52
TaOx /TaS2 ヘテロ構造を用いたMoS2 浮遊ゲートFETの作製
1 関西大院理工、2 埼玉大院理工 ○ 佐橋 悠太朗1 、稲田 貢1 、佐藤 伸吾1 、上野 啓司2 、山本 真人1 17a-P01-62
VOx /VSe2 ヘテロ構造における抵抗変化メモリ動作の評価
1 関西大院理工、2 埼玉大院理工 ○ 中村 優太1 、稲田 貢1 、上野 啓司2 、山本 真人1 17a-P01-63
Charge trap memory based on MoS2 with He+ -irradiated h-BN as a trapping layer
1 Kansai Univ., 2 NIMS, 3 Saitama Univ., 4 AIST, 5 Tokyo Univ. Tech. ○ Mahito Yamamoto1 , Takuya Iwasaki2 , Keiji Ueno3 , Takashi Taniguchi2 , Kenji Watanabe2 , Yukinori Morita4 , Shinichi Ogawa4 , Yutaka Wakayama2 , Shu Nakaharai5 18p-A36-6
2次元層状半導体の光学応答における高次フォノン周波数発生
1 沖縄科技大、2 筑波大数理、3 産総研、4 東北大工、5 慶大電情、6 埼大院理工 ○ 福田 拓未1,2 、牧野 孝太郎3 、齊藤 雄太4 、フォンス ポール5 、石川 良6 、上野 啓司6 、長谷 宗明2 19p-A25-2
二次元層状物質WSe2 からのテラヘルツ波発生における光電流効果の研究
1 筑波大数理物質、2 福井大遠赤セ、3 埼玉大院理工 ○ 山田 知穂1 、上野 啓司3 、谷 正彦2 、Jessica Afalla1 、長谷 宗明1 19p-A25-9
スパッタPt電極の適用によるWSe2 p-FETの向上
1 東京大、2 埼玉大、3 都立大、4 産総研、5 NIMS、6 東北大 ○ 中島 隆一1 、西村 知紀1 、金橋 魁利1 、上野 啓司2 、宮田 耕充3 、畑山 祥吾4 、齊藤 雄太4,6 、入沢 寿史4 、谷口 尚5 、渡邊 賢司5 、長汐 晃輔1 19p-A31-4
トンネルFET用高濃度ソース材料のCVT合成における輸送剤選択
1 東大院工、2 埼玉大院理工 ○ 杉山 紀成1 、森戸 智2 、西村 知紀1 、金橋 魁利1 、上野 啓司2 、長汐 晃輔1 19p-A31-11
劈開単層MoS2 のToF-SIMSによるNb不純物均一性評価
1 東大工、2 埼玉大理 ○ 田中 一樹1 、西村 知紀1 、金橋 魁利1 、上野 啓司2 、長汐 晃輔1 19p-A31-12
Post-Annealing derived Mist CVD AlOx /Alx M1-x Oy (M=Al, Hf) Properties for High-Temperature Sensors Applications
1 Ritsumeikan Univ., 2 Saitama Univ. ○ Abdul A Kuddus1 , Keiji Ueno2 , Hajime Shirai2 , Shinichiro Mouri1 19p-P05-27
層状半導体GeS2 のレーザー光酸化パターニング
1 大阪公立大院工、2 埼玉大院理工 ○ 田原 匠陽1 、上野 啓司2 、野内 亮1 20a-A31-7
日本物理学会 第79回年次大会(2024年9月16~19日、北海道大学)
1T-TaS2 の一軸圧力印加ARPES
東北大院理A , 東北大WPI-AIMRB , 東北大CSISC , 高エ研物構研D , 埼玉大院理工E , 東北大SRISF , 東北大MathCCSG 鈴木崇人A , 栁沢幸紀A , 中山耕輔A , 菅原克明A,B , 相馬清吾B,C , 小澤健一D , 上野啓司E , 高橋隆A , 佐藤宇史A,B,C,F,G 16pE312-8
TiSe2 のCDW転移に伴う電子状態変化
阪大産研, 埼玉大A , 分子研B 田中慎一郎, 菅滋正, 上野啓司A , 福谷圭祐B , 牧田誠二B , 松井文彦B , 田中清尚A 17aPS-86
第67回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム(2024年9月1〜3日、高知工科大学)
Transition from p + -type to ambipolar in both non-degenerated and degenerated Nb-doped WSe2
○ Kaito Kanahashi, Itsuki Tanaka, Tomonori Nishimura, Kohei Aso, Limi Chen, Takafumi Kakeya, Yoshifumi Oshima, Yukiko Yamada-Takamura, Keiji Ueno, Kosuke Nagashio 3-5
研究会、セミナー講演
外部資金獲得状況
2021~2024年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究(C) 代表:上野啓司 「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」(1年延長)
2024~2027年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究(C) 代表:上野啓司 「層状13族モノカルコゲナイドのヤヌス化による新奇機能性発現」
2022〜2026年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(S) 代表:長汐晃輔(東京大学) 「超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化」研究分担者
2022~2025年度 日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究(B) 代表:山本真人(関西大学) 「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」 研究分担者
2022~2024年度 国立研究開発法人科学技術振興機構 国際科学技術協力基盤整備事業 日本-台湾研究交流(AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術) 代表:山本真人(関西大学)「神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出」 研究分担者
2023~2025年度 日本学術振興会 学術研究助成基金助成金 基盤研究(C) 代表:リムホンエン 「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」
学会等の活動
上野:日本表面真空学会 真空技術調査部会 研究例会企画専門部会 委員
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