• 履歴一覧
• 差分 を表示
• 現在との差分 を表示
• ソース を表示
• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2017 へ行く。
  • 1 (2017-04-07 (金) 17:23:31)
  • 2 (2017-06-20 (火) 08:06:18)
  • 3 (2017-06-26 (月) 09:53:21)
  • 4 (2017-07-04 (火) 17:15:32)
  • 5 (2017-07-13 (木) 18:21:23)
  • 6 (2017-08-02 (水) 07:24:57)
  • 7 (2017-09-08 (金) 23:00:45)
  • 8 (2017-10-03 (火) 16:28:16)
  • 9 (2017-12-25 (月) 08:45:27)
  • 10 (2018-02-02 (金) 16:17:50)
  • 11 (2018-02-03 (土) 14:04:27)
  • 12 (2018-02-09 (金) 13:25:54)
  • 13 (2018-02-12 (月) 16:21:21)
  • 14 (2018-03-28 (水) 11:58:10)
  • 15 (2018-04-01 (日) 19:08:32)

研究室教員†

• 准教授　上野　啓司（研究室Webページ）
• Researcher ID: B-2741-2012
• ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382

研究課題†

1. カルコゲナイド系層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定

発表論文†

1. "Sensitive Phonon-Based Probe for Structure Identification of 1T′ MoTe2"
   • L. Zhou, S. Huang, Y. Tatsumi, L. Wu, H. Guo, Y.-Q. Bie, K. Ueno, T. Yang, Y. Zhu, J. Kong, R. Saito, and M. Dresselhaus
   • J. Am. Chem. Soc. 139 (2017) 8396–8399
   • DOI:10.1021/jacs.7b03445
2. "Barium hydroxide hole blocking layer for front- and back-organic/crystalline Si heterojunction solar cells"
   • J. Hossain, K. Kasahara, D. Harada, A. T. M. S. Islam, R. Ishikawa, K. Ueno, T. Hanajiri, Y. Nakajima, Y. Fujii, M. Tokuda, and H. Shirai
   • J. Appl. Phys. 122 (2017) 055101 (8 pages)
   • DOI:10.1063/1.4985812
3. "Exfoliation and van der Waals heterostructure assembly of intercalated ferromagnet Cr1/3TaS2"
   • Y. Yamasaki, R. Moriya, M. Arai, S. Masubuchi, S. Pyon, T. Tamegai, K. Ueno and T. Machida
   • 2D Materials 4 (2017) 041007 (10 pages)
   • DOI:10.1088/2053-1583/aa8a2b
4. "Reversible and Precisely Controllable p/n-Type Doping of MoTe2 Transistors through Electrothermal Doping"
   • Y.-M. Chang, S.-H. Yang, C.-Y. Lin, C.-H. Chen, C.-H. Lien, W.-B. Jian, K. Ueno, Y.-W. Suen, K. Tsukagoshi and Y.-F. Lin
   • Adv. Mater., in press

総説，解説等†

著書†

学会（予定も含む）†

• 2017年　第78回応用物理学会秋季学術講演会（2017年9月5〜8日，福岡国際会議場）
  • 層状物質電界効果トランジスタの高性能化のためのゲート界面改質
    • 埼玉大院理工　〇原田 恭介，上野 啓司　5p-PA1-65
  • 電界効果近接場法によるMoTe2薄膜の構造制御
    • 1首都大理工，2埼玉大院理工　〇野崎 純司1，西留 比呂幸1，上野 啓司2，蓬田 陽平1， 柳 和宏1　5p-PA1-66
  • ヒ素をドープしたMoSe2 FETの動作特性
    • 埼玉大院理工　〇堀井 嵩斗，上野 啓司　5p-PA1-71
  • カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用 (2)
    • 1埼玉大院理工，2神戸製鋼応物研　〇荻原 えりな1，川上 信之2，上野 啓司1　5p-PA1-79
  • 2段階Cs0.2FA0.8PbIxBr3-xペロブスカイトのI/Br組成比に対する誘電関数スペクトル
    • 埼玉大理工研　〇高橋 浩太郎，三浦 拓也，上野 啓司，白井 肇　5p-PA3-18
  • 2段階Cs0.2FA0.8PbIxBr3-xペロブスカイト作製における前駆体CsPbI2微細構造の影響
    • 埼玉大理工研　〇三浦 拓也，高橋 浩太郎，石川 良，上野 啓司，白井 肇　5p-PA3-19
  • 自己制御表面酸化によるWSe2原子層トランジスタの高受光感度化
    • 1阪大産研，2埼玉大院理工，3物材機構　〇山本 真人1，上野 啓司2，塚越 一仁3　6p-C16-5
  • 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長
    • 埼玉大院理工　〇池田 幸弘，上野 啓司　6p-C16-16
  • VO2/原子層半導体ヘテロ構造を用いた急峻スロープトランジスタ
    • 1阪大産研，2阪府大工，3物材機構，4埼玉大院理工　〇山本 真人1，神吉 輝夫1，服部 梓1，野内 亮2，谷口 尚3，渡邉 賢司3，上野 啓司4，田中 秀和1　7p-A202-14
  • 薄層SnSの機械的剥離と化学的安定性
    • 1東大院工，2埼玉大院理工，3JST-さきがけ　〇東垂水 直樹1，川元 颯巳1，上野 啓司2，長汐 晃輔1,3　7p-C11-13
  • WSe2/SnS2ヘテロ構造におけるバンド間トンネル
    • 1東大，2埼玉大，3JST-さきがけ　〇何 俊陽1，方 楠1，中村 圭吾1，上野 啓司2，長汐 晃輔1,3　7p-C11-19
  • ALDで形成した薄膜InOx高移動度TFT
    • 1物材機構，2工学院大，3埼玉大院理工　〇木津 たきお1，相川 慎也1,2，池田 幸弘3，上野 啓司3，生田目 俊秀1，塚越 一仁1　7p-C23-2
  • 添加剤を用いた一段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価 (2)
    • 埼玉大院理工　〇石川 良，上野 啓司，白井 肇　8a-A501-4

• 日本物理学会　2017年秋季大会（2017年9月21〜24日，岩手大学）
  • TaS2上に成長させたBi(110)超薄膜におけるディラック型電子バンドの観測
    • 東北大CSRNA，東北大WPIB，東北大院理C，埼玉大理工D　相馬清吾A, B，山田敬子C，C. TrangC，菅原克明B，上野啓司D，佐藤宇史A,C，高橋隆A,B,C　21pB32-12
  • 電界効果近接場による遷移金属カルコゲナイド薄膜の局所光物性制御と構造制御
    • 首都大理工，埼玉大院理工A　野崎純司，西留比呂幸，上野啓司A，真庭豊，蓬田陽平，柳和宏　22aPS-36
  • ダイカルコゲナイドMoTe2における長寿命コヒーレントフォノン
    • 産総研ナノエレ，埼玉大院理工A，筑波大数物系B　牧野孝太郎，齊藤雄太，堀井嵩斗A，P. Fons，A. V. Kolobov，安藤淳，上野啓司A，長谷宗明B　24aB21-5

• The 9th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2017) (Sep. 19-22, 2017, Singapore)
  • Low Temperature Growth of Tungsten Disulfide Thin Films by Atomic Layer Deposition Using Liquid Precursors
    • Saitama University Keiji Ueno and Yukihiro Ikeda

• 2018年　第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月17〜20日，早稲田大学）
  • 酸化チタン/酸化スズ二層構造を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池
    • 埼玉大院理工　〇石川 良，上野 啓司，白井 肇　18a-G202-3
  • フッ素系ポリマー混成FA0.8Cs0.2PbI3薄膜の作製及び評価
    • 埼玉大　〇秋山 修平，石川 良，上野 啓司，白井 肇　18p-P4-16
  • p+-WSe2/MoS2ヘテロ構造におけるキャリア移動のPLによる評価
    • 1.東大，2埼玉大，3物材機構　〇中村 圭吾1，何 俊陽1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 健司3，長汐 晃輔1　19a-P6-1
  • カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用 (3)
    • 1埼玉大院理工，2神戸製鋼応物研　〇荻原 えりな1，川上 信之2，上野 啓司1　19a-P6-4
  • ハフニウムダイカルコゲナイドの電界効果トランジスタ応用
    • 埼玉大院理工　〇新倉 伸幸，上野 啓司　19a-P6-6
  • 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（２）
    • 埼玉大院理工　〇池田 幸弘，上野 啓司　19a-P6-63
  • 塩化ナトリウムをアシスト剤に用いた単層 MoS2及び WS2の気相成長
    • 埼玉大院理工　〇五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司　19a-P6-64
  • NbSe2原子層薄膜の高分解能ARPES
    • 1東北大WPI-AIMR，2東北大院理，3東工大院理工，4埼玉大院理工　〇菅原 克明1，中田 優樹2，清水 亮太3，Han Patric1，一杉 太郎3，上野 啓司4，佐藤 宇史2，高橋 隆2,1　19p-C202-9
  • TypeⅢ p+-WSe2/WSe2ヘテロ構造におけるバンド間トンネル
    • 1東大，2埼玉大，3物材機構　〇何 俊陽1，方 楠1，中村 圭吾1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 健司3，長汐 晃輔1　19p-C202-14
  • 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製
    • 1東大工，2埼玉大，3JST-さきがけ　〇東垂水 直樹1，川元 颯巳1，上野 啓司2，長汐 晃輔1,3　20p-C202-4

研究会，セミナー講演（予定も含む）†

アウトリーチ活動†

特許†

受賞†

外部資金獲得状況†

1. 平成25〜29年度　科学研究費補助金　新学術領域研究（研究領域提案型）
   • 「原子層科学」（領域代表者：東北大学　齋藤理一郎教授）
   • 計画研究（総括班およびA03応用班）研究分担者
     

学会等の活動†

• 第30回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017)）論文委員
• 日本真空学会　講演・研究企画委員
• 日本真空学会　第58回真空に関する連合講演会　プログラム委員
• The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)　プログラム委員