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*研究室教員 [#cb3499d3]
-准教授　上野　啓司[[（研究室Webページ）:http://surface-www.chem.saitama-u.ac.jp/wiki/index.php]]
-Researcher ID: [[B-2741-2012:http://www.researcherid.com/rid/B-2741-2012]]
-ORCID: [[orcid.org/0000-0002-5535-9382:https://orcid.org/0000-0002-5535-9382]]
*研究課題 [#p993ca00]
+遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
+他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
+化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
+層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
//+炭素系材料／シリコンヘテロ接合太陽電池の開発
//+溶液塗布法によるグラフェン薄膜形成とさまざまな素子への応用
//+可溶化グラフェンを用いた新奇機能性材料の開発
//+塗布・印刷法による有機薄膜素子（電界効果トランジスタ，太陽電池）形成

*発表論文 [#gb1196ab]
+"Anisotropic Band Splitting in Monolayer NbSe&subsc{2};: Implications for Superconductivity and Charge Density Wave"
--Y. Nakata, K. Sugawara, S. Ichinokura, Y. Okada, T. Hitosugi, T. Koretsune, K. Ueno, S. Hasegawa, T. Takahashi, and T. Sato
--npj 2D Materials and Applications ''2'' (2018) 12
--DOI:[[10.1038/s41699-018-0057-3:https://doi.org/10.1038/s41699-018-0057-3]]
+"Fabrication and Surface Engineering of Two-Dimensional SnS Toward Piezoelectric Nanogenerator Application"
--N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Ueno and Kosuke Nagashio
--N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Ueno and K. Nagashio
--MRS Advances ''3'' (2018) 2809-2814
--DOI:[[10.1557/adv.2018.404:https://doi.org/10.1557/adv.2018.404]]
+"Pronounced photogating effect in atomically thin WSe&subsc{2}; with a self-limiting surface oxide layer"
--M. Yamamoto, K. Ueno and K. Tsukagoshi
--Appl. Phys. Lett. ''112'' (2018) 181902 (5 pages)
--DOI:[[10.1063/1.5030525:https://doi.org/10.1063/1.5030525]]
+"Ultrathin Bismuth Film on 1'''T'''-TaS&subsc{2};: Structural Transition and Charge-Density-Wave Proximity Effect"
--K. Yamada, S. Souma, K. Yamauchi, N. Shimamura, K. Sugawara, C. Trang, T. Oguchi, K. Ueno, T. Takahashi,  T. Sato
--Nano Lett. ''18'' (2018) 3235–3240
--DOI:[[10.1021/acs.nanolett.8b01003:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.8b01003]]
+"Fabrication of [CH(NH&subsc{2};)&subsc{2};]&subsc{0.8};Cs&subsc{0.2};PbI&subsc{3}; perovskite thin films for n-i-p planar-structure solar cells by a one-step method using 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone as an additive"
--R. Ishikawa, K. Ueno and H. Shirai
--Chem. Lett. ''47'' (2018) 905-908
--DOI:[[10.1246/cl.180216:https://doi.org/10.1246/cl.180216]]
+"2-Dimensional Tunnel FETs with a Stable Charge-Transfer-Type p&super{+};-WSe&subsc{2}; Source"
--J. He, N. Fang, K. Nakamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
--Adv. Electron. Mater. ''4'' (2018) 1800207
--DOI:[[10.1002/aelm.201800207:https://doi.org/10.1002/aelm.201800207]]
+"Self-passivated ultra-thin SnS layers via mechanical exfoliation and post-oxidation"
--N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Ueno and K. Nagashio
--Nanoscale ''10'' (2018) 22474-22483
--DOI:[[10.1039/C8NR06390G:https://doi.org/10.1039/C8NR06390G]]
+"Site-dependence of relationships between photoluminescence and applied electric field in monolayer and bilayer molybdenum disulfide"
--J. Nozaki, H. Nishidome, M. Maruyama, S. Okada, S. Kusaba, K. Tanaka, K. Ueno, Y. Yomogida, and K. Yanagi
--Jpn. J. Appl. Phys. ''58'' (2019) 015001
--DOI:[[10.7567/1347-4065/aaead2:https://doi.org/10.7567/1347-4065/aaead2]]
+"Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO&subsc{2}; Monolithically Integrated into a WSe&subsc{2}; Field-Effect Transistor"
--M. Yamamoto, R. Nouchi, T. Kanki, A. Hattori, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, H. Tanaka
--ACS Appl. Mater. Interfaces ''11'' (2019) 3224–3230
--DOI:[[10.1021/acsami.8b18745:https://doi.org/10.1021/acsami.8b18745]]

//*総説，解説等 [#x11e6851]
//*著書 [#w7b303d6]
*学会 [#l7e2b728]
-日本分析化学会　第67年会（2018年9月12～14日，東北大学川内北キャンパス）
--SnS&subsc{2};二次元薄膜における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング
---東北大院環境&super{1};，東北大AIMR&super{2};，東北大院工&super{3};，埼玉大院理工&super{4};，金沢大WPI-NanoLSI&super{5};　&super{○};小川 寛人&super{1};，熊谷 明哉&super{1,2};，上野 啓司&super{4};，井田 大貴&super{1};，高橋 康史&super{5};，末永 智一&super{1};，珠玖 仁&super{3};　Y1108


-2018年　第79回応用物理学会秋季学術講演会（2018年9月18〜21日，名古屋国際会議場）
--レーザー照射による2層WSe&subsc{2};の最表層選択的酸化
---&super{1};阪大ナノセンター，&super{2};WPI-MANA 物材機構，&super{3};埼玉大院理工，&super{4};阪大産研　&super{〇};塩谷 広樹&super{1};，塚越 一仁&super{2};，上野 啓司&super{3};，大岩 顕&super{4};　18p-224B-2
--液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（３）
---埼玉大院理工　&super{〇};池田 幸弘，上野 啓司　18p-PB3-79
--カリウム塩をアシスト剤に用いた単層 MoS&subsc{2}; 及び WS&subsc{2}; の化学気相成長
---埼玉大院理工　&super{〇};五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司　18p-PB3-80
--ALD成長In&subsc{2};O&subsc{3};薄膜のSe化
---&super{1};埼大院理工，&super{2};物材機構　&super{〇};近野 健人&super{1};，木津 たきお&super{2};，塚越 一仁&super{2};，上野 啓司&super{1};　18p-PB3-81 
--表面酸化によるWSe&subsc{2};上のALD成長Al&subsc{2};O&subsc{3};膜質改善
---埼玉大院理工　&super{〇};町田 葉祐，上野 啓司　18p-PB3-87 
--SnSe&subsc{2}; FETのInドープによる電気的挙動変化
---埼玉大院理工　&super{〇};赤根 大介，上野 啓司　18p-PB3-89 
--ヒ素をドープした MoSe&subsc{2}; FET の動作特性 (2)
---埼玉大院理工　&super{〇};堀井 嵩斗，上野 啓司　18p-PB3-90
--Passivation of nanopillar Si surface by ALD-Al&subsc{2};O&subsc{3}; and its effect on PV performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells
---&super{1};Saitama University, &super{2};Toyo University &super{〇};Md Enamul Karim&super{1};, R. Ishikawa&super{1};, K. Ueno&super{1};, H. Shirai&super{1};, S. Kurosu&super{2};, Y. Nakajima&super{2};, Y. Fujii&super{2};, M. Tokuda&super{2};, T. Hanajiri&super{2}; 19p-PA5-4
--遷移金属ダイカルコゲナイド強磁性体の物性とヘテロ構造作製
---&super{1};東大生研，&super{2};東大院工，&super{3};埼大院理工，&super{4};CREST-JST　&super{〇};守谷 頼&super{1};，山崎 雄司&super{1};，荒井 美穂&super{1};，増渕 覚&super{1};，卞 舜生&super{2};，為ヶ井 強&super{2};，上野 啓司&super{3};，町田 友樹&super{1,4};　19p-331-2
--添加剤を用いた一段階法によるK&subsc{x};(FA&subsc{0.8};Cs&subsc{0.2};)&subsc{1-x};PbI&subsc{3};薄膜の作製及び評価
---埼大院理工　&super{〇};石川 良1，上野 啓司1，白井 肇　20a-432-6
--Photovoltaic performance of PEDOT:PSS/c-Si junction solar cells by adding ferroelectric polymer thin-layer
---&super{1};Saitama University, &super{2};Ideal Star Inc. &super{〇};ATM Saiful Islam&super{1};, R. Ishikawa&super{1};, K. Ueno&super{1};, H. Shirai&super{1};, K. Omote&super{2};, K. Yokoo&super{1}; 20p-133-12
--Exciton Diffusion in a hBN-encapsulated Monolayer Transition Metal Dichalcogenide
---&super{1};Nagoya Univ., &super{2};Saitama Univ., &super{3};NIMS &super{〇};Takato Hotta&super{1};, Syohei Higuchi&super{1};, Yosuke Uchiyama&super{1};, Keiji Ueno&super{2};, Kenji Watanabe&super{3};, Takashi Taniguchi&super{3};, Hisanori Shinohara&super{1};, Ryo Kitaura&super{1}; 20p-221B-3
--Role of Traps in Few Layer n-ReS&subsc{2}; Phototransistor on top of '''p'''-MoTe&subsc{2}; Layer
---&super{1};Natl. Inst. For Materials Science, &super{2};Saitama University &super{〇};Bablu Mukherjee&super{1};, Mohd Amir Zulkefli&super{1};, Keiji Ueno&super{2};, Yutaka Wakayama&super{1};, Shu Nakaharai&super{1}; 21p-PB3-4

-第37回電子材料シンポジウム（2018年10月10〜12日，ホテル&リゾーツ長浜）
--二次元層状物質薄膜のヘテロエピタキシャル成長
---埼玉大院理工　上野啓司　SP-2（招待講演）

-2019年　第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月9〜12日，東京工業大学）
--2次元層状物質材料の基礎と薄膜形成法
---埼玉大　上野 啓司　9a-M111-1（チュートリアル講演）
--フッ化アミン処理によるペロブスカイト太陽電池の高性能化
---埼玉大院理工　&super{〇};石川 良，上野 啓司，白井 肇　9a-S222-1
--フッ素系ポリマー混成ペロブスカイト太陽電池の作成と評価
---埼玉大院理工　&super{〇};守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇　9a-S222-2
--Study on interface recombination characteristics of crystalline-silicon/organic heterojunction solar cells
---Saitama University　&super{〇};ATM Saiful Islam, Yuki Nasuno, Daisuke Harada, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Hajime Shirai　9a-W611-6
--PEDOT:PSS/n-Si heterojunction solar cells with ALD-Al&subsc{2};O&subsc{3}; /n-Si field effect inversion layer
---&super{1};Saitama University, &super{2};Toyo University　&super{〇};Md Enamul Karim&super{1};, Tomofumi Ukai&super{2};, Daisuke Harada&super{1};, A.T.M. Saiful Islam&super{1};, Shunji Kurosu&super{2};, Yoshikata Nakajima&super{2};, Yasuhiko Fujii&super{2};, Masahide Tokuda&super{2};, Tatsuro Hanajiri&super{2};, Ryo Ishikawa&super{1};, Keiji Ueno&super{1};, Hajime Shirai&super{1};　9a-W611-7
--液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（４）
---埼玉大院理工　&super{〇};池田 幸弘，上野 啓司　10p-PB5-34
--1T-MoSe&subsc{2};挿入による 2H-MoSe&subsc{2}; FET のピニング緩和
---埼玉大院理工　&super{〇};堀井 嵩斗，上野 啓司　10p-PB5-39
--hBNサンドしたTMD原子層における励起子拡散
---&super{1};名大理，&super{2};埼玉大理，&super{3};NIMS　&super{〇};堀田 貴都&super{1};，樋口 翔平&super{1};，内山 揚介&super{1};，上野 啓司&super{2};，渡邊 賢司&super{3};，谷口 尚&super{3};，篠原 久典&super{1};，北浦 良&super{1};　10p-PB5-45
--アルカリ塩をアシスト剤に用いた気相成長単層MoS&subsc{2};及びWS&subsc{2};のFET応用
---埼玉大院理工　&super{〇};五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司　10p-PB5-48
--p&super{+};-WSe&subsc{2};/MoS&subsc{2}; TFETにおけるMoS&subsc{2};厚さによるバンドアライメント制御
---&super{1};東大，&super{2};物材機構，&super{3};埼玉大　&super{〇};中村 圭吾&super{1};，永村 直佳&super{2};，上野 啓司&super{3};，谷口 尚&super{2};，渡邊 健司&super{2};，長汐 晃輔&super{1};　11p-W521-3


*研究会，セミナー講演 [#l00ffe8e]
+「カルコゲナイド系層状物質原子膜の作製と素子応用」上野啓司，第 14 回量子ナノ材料セミナー，埼玉，２０１８年９月２５日（招待講演）。

//*アウトリーチ活動 [#p07e2087]
//*特許 [#de503a70]
//*受賞 [#r5bd2cd7]
*外部資金獲得状況 [#if5e38f2]
+2018〜2020年度　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）一般　代表：上野啓司　「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」

*学会等の活動 [#w4d32938]
-[[第31回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)）:http://imnc.jp/]]論文委員
-日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　2018年度委員
-The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies（EM-NANO2019）論文委員
-The 11st annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference（RPGR2019）プログラム委員