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• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2023 へ行く。
  • 1 (2023-04-01 (土) 11:08:08)
  • 2 (2023-04-01 (土) 11:20:55)
  • 3 (2023-04-10 (月) 12:09:53)
  • 4 (2023-04-24 (月) 20:56:58)
  • 5 (2023-04-26 (水) 08:50:56)
  • 6 (2023-05-09 (火) 11:05:30)
  • 7 (2023-05-15 (月) 17:42:32)
  • 8 (2023-05-25 (木) 07:12:02)
  • 9 (2023-05-29 (月) 18:48:55)
  • 10 (2023-06-08 (木) 23:37:29)
  • 11 (2023-06-12 (月) 22:30:20)
  • 12 (2023-06-23 (金) 12:38:36)
  • 13 (2023-06-28 (水) 09:45:06)
  • 14 (2023-07-05 (水) 10:06:41)
  • 15 (2023-07-06 (木) 18:00:19)
  • 16 (2023-07-19 (水) 12:51:30)
  • 17 (2023-08-07 (月) 09:32:29)
  • 18 (2023-08-16 (水) 01:06:42)
  • 19 (2023-09-01 (金) 23:43:16)
  • 20 (2023-11-01 (水) 23:08:00)
  • 21 (2023-12-16 (土) 10:59:51)
  • 22 (2023-12-19 (火) 21:16:55)
  • 23 (2023-12-21 (木) 15:20:39)
  • 24 (2023-12-27 (水) 19:24:03)
  • 25 (2024-01-09 (火) 10:07:17)
  • 26 (2024-01-12 (金) 17:57:37)
  • 27 (2024-01-22 (月) 17:38:29)
  • 28 (2024-01-25 (木) 13:37:03)
  • 29 (2024-02-02 (金) 09:25:34)
  • 30 (2024-02-09 (金) 09:23:57)
  • 31 (2024-02-21 (水) 16:49:28)
  • 32 (2024-02-28 (水) 19:11:56)

研究室教員†

• 教授　上野　啓司（研究室Webページ）
  • Researcher ID: B-2741-2012
  • ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382
  • 2022, 2023年度　基礎化学プログラム・学科長
• 助教　Lim Hong En（リム・ホン・エン）
  • ORCID: orcid.org/0000-0003-0347-8897

研究課題†

1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
5. 1次元カルコゲナイド物質に関する研究

発表論文†

1. "Terahertz emission from transient currents and coherent phonons in layered MoSe2 and WSe2"
   • J. Afalla, J. Muldera, S. Takamizawa, T. Fukuda, K. Ueno, M. Tani, and M. Hase
   • J. Appl. Phys. 133 (2023) 165103
   • DOI:10.1063/5.0146489
2. "Fermi Pressure and Coulomb Repulsion Driven Rapid Hot Plasma Expansion in a van der Waals Heterostructure"
   • J. Choi, J. Embley, D.D. Blach, R. Perea-Causín, D. Erkensten, D.S. Kim, L. Yuan, W.Y. Yoon, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Ueno, E. Tutuc, S. Brem, E. Malic, X. Li, and L. Huang
   • Nano Lett. 23 (2023) 4399–4405
   • DOI:10.1021/acs.nanolett.3c00678
3. "p-type conversion of WS2 and WSe2 by position-selective oxidation doping and its application in top gate transistors"
   • R. Kato, H. Uchiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Chen, K. Nagashio
   • ACS Appl. Mater. Interfaces, ASAP (2023)
   • DOI:10.1021/acsami.3c04052
4. "Ultrafast melting of charge-density wave fluctuations at room temperature in 1T-TiSe2 monitored under non-equilibrium conditions"
   • Y. Mizukoshi, T. Fukuda, Y. Komori, R. Ishikawa, K. Ueno and M. Hase
   • Appl. Phys. Lett., accepted for publication (2023)

総説，解説等†

1. 「1次元遷移金属ダイカルコゲナイド細線の気相成長」
   • 中西勇介、リムホンエン、宮田耕充
   • 応用物理　第92巻　第5号 (2023) 292-296.
   • DOI:10.11470/oubutsu.92.5_292

学会（予定も含む）†

研究会，セミナー講演（予定も含む）†

外部資金獲得状況†

1. 2021～2023年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」
2. 2022～2023年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　学術変革領域研究（Ａ）（公募研究）　代表：上野啓司　「ファンデルワースル積層構造のための新規バッファ層物質：硫化ガリウムの応用」
3. 2022〜2026年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｓ）　代表：長汐晃輔（東京大学）　「超低消費電力システム構築のための２次元トンネルＦＥＴの集積化」研究分担者
4. 2022～2025年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）　代表：山本真人（関西大学）　「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」　研究分担者
5. 2022～2024年度　国立研究開発法人科学技術振興機構　国際科学技術協力基盤整備事業　日本-台湾研究交流(AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術)　代表：山本真人（関西大学）「神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出」　研究分担者
6. 2023～2025年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：リムホンエン　「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」

学会等の活動†

• 日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　委員