活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2021 の履歴(No.7)
研究室教員†
研究課題†
- 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
- 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
発表論文†
- "Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS2 and SnSe2: Exploration of n+-Source for 2D Tunnel FETs"
- Y. Sato, T. Nishimura, D. Duanfei, K. Ueno, K. Shinokita, K. Matsuda and K. Nagashio
- Adv. Electron. Mater., in press (2021)
- DOI:10.1002/aelm.202100292
学会（予定も含む）†
- 2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月10～13日（口頭）21～23日（ポスター）、オンライン開催）
- フルオロフェニルリン酸添加によるペロブスカイト太陽電池の高性能化
- 埼玉大院理工 〇石川 良、上野 啓司、白井 肇 11a-N322-2
- Synthesis of 2D MoS2 and WS1-xSex thin films by Mist-CVD
- Saitama University 〇Abdul A Kuddus, Arifuzzaman Rajib, Ryotaro Kizaki, Kojun Yokoyama, Keiji Ueno, Hajime Shirai 11a-N302-4
- バルクPdSe2のバンドギャップ値に対する電気伝導特性からの定量的評価
- 1東大工、2埼玉大理工、3物質・材料研 〇西山 航1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 11p-N302-1
- Ag-TFSI処理によるWSe2へのホールドーピング
- 1都立大理、2埼玉大院理工、3京都工繊大 〇鈴木 駿太1、小倉 宏斗1、中西 勇介1、林 宏恩1、遠藤 尚彦1、上野 啓司2、野々口 斐之3、宮田 耕充1 12a-N307-4
- 高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作
- 1東大工、2埼玉大理、3物材機構 〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邉 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 13a-N307-1
- Mist-CVD法によるTiOx, AlOx膜におけるバイアス印加の効果
- 埼玉大理工 〇横山 工純、アリフザマン ラジブ、アブドゥル クドゥス、志田 知洋、上野 啓司、白井 肇 13a-S201-8
- 二次元材料の超格子構造による発光色変換膜の作製
- 1信州大工、2信州大 先鋭材料研、3埼玉大院理工) 〇坪井 佑篤1、浦上 法之2、橋本 佳男2、上野 啓司3 23p-P11-22
- プラズマ照射を用いた1T相WSe2薄膜の形成
- 埼玉大院理工 〇志田 知洋、上野 啓司 23p-P13-16
- 低温ALD成長したWS2薄膜の素子応用
- 埼玉大院理工 〇福島 崇史、上野 啓司 23p-P13-17
- 日本物理学会2021年秋季大会（2021年9月20〜23日、オンライン開催）
- TiSe2の角度分解・共鳴角度分解光電子分光
- 阪大産研、埼玉大理工A、分子研UVSORB ○田中慎一郎、上野啓司A、松井文彦B 21pE2-3
研究会，セミナー講演（予定も含む）†
アウトリーチ活動†
- 埼玉大学 ハイグレード理数高校生育成プログラム HiGEPS（ハイジェップス） HiGEPS基礎セミナー+ レビュータイム 「層状物質半導体のデバイス応用研究について」 2021年7月17日（土）
外部資金獲得状況†
- 2021〜2023年度 学術研究助成基金助成金 基盤研究（Ｃ） 代表：上野啓司 「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」
学会等の活動†
