• 履歴一覧
• 差分 を表示
• 現在との差分 を表示
• ソース を表示
• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2023 へ行く。
  • 1 (2023-04-01 (土) 11:08:08)
  • 2 (2023-04-01 (土) 11:20:55)
  • 3 (2023-04-10 (月) 12:09:53)
  • 4 (2023-04-24 (月) 20:56:58)
  • 5 (2023-04-26 (水) 08:50:56)
  • 6 (2023-05-09 (火) 11:05:30)
  • 7 (2023-05-15 (月) 17:42:32)
  • 8 (2023-05-25 (木) 07:12:02)
  • 9 (2023-05-29 (月) 18:48:55)
  • 10 (2023-06-08 (木) 23:37:29)
  • 11 (2023-06-12 (月) 22:30:20)
  • 12 (2023-06-23 (金) 12:38:36)
  • 13 (2023-06-28 (水) 09:45:06)
  • 14 (2023-07-05 (水) 10:06:41)
  • 15 (2023-07-06 (木) 18:00:19)
  • 16 (2023-07-19 (水) 12:51:30)
  • 17 (2023-08-07 (月) 09:32:29)
  • 18 (2023-08-16 (水) 01:06:42)
  • 19 (2023-09-01 (金) 23:43:16)
  • 20 (2023-11-01 (水) 23:08:00)
  • 21 (2023-12-16 (土) 10:59:51)
  • 22 (2023-12-19 (火) 21:16:55)
  • 23 (2023-12-21 (木) 15:20:39)
  • 24 (2023-12-27 (水) 19:24:03)
  • 25 (2024-01-09 (火) 10:07:17)
  • 26 (2024-01-12 (金) 17:57:37)
  • 27 (2024-01-22 (月) 17:38:29)
  • 28 (2024-01-25 (木) 13:37:03)
  • 29 (2024-02-02 (金) 09:25:34)
  • 30 (2024-02-09 (金) 09:23:57)
  • 31 (2024-02-21 (水) 16:49:28)
  • 32 (2024-02-28 (水) 19:11:56)

研究室教員†

• 教授　上野　啓司（研究室Webページ）
  • Researcher ID: B-2741-2012
  • ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382
  • 2022, 2023年度　基礎化学プログラム・学科長
• 助教　Lim Hong En（リム・ホン・エン）
  • ORCID: orcid.org/0000-0003-0347-8897

研究課題†

1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
5. 1次元カルコゲナイド物質に関する研究

発表論文†

1. "Terahertz emission from transient currents and coherent phonons in layered MoSe2 and WSe2"
   • J. Afalla, J. Muldera, S. Takamizawa, T. Fukuda, K. Ueno, M. Tani, and M. Hase
   • J. Appl. Phys. 133 (2023) 165103
   • DOI:10.1063/5.0146489
2. "Fermi Pressure and Coulomb Repulsion Driven Rapid Hot Plasma Expansion in a van der Waals Heterostructure"
   • J. Choi, J. Embley, D.D. Blach, R. Perea-Causín, D. Erkensten, D.S. Kim, L. Yuan, W.Y. Yoon, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Ueno, E. Tutuc, S. Brem, E. Malic, X. Li, and L. Huang
   • Nano Lett. 23 (2023) 4399–4405
   • DOI:10.1021/acs.nanolett.3c00678
3. "p-type conversion of WS2 and WSe2 by position-selective oxidation doping and its application in top gate transistors"
   • R. Kato, H. Uchiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, E. Chen, K. Nagashio
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 15 (2023) 26977–26984
   • DOI:10.1021/acsami.3c04052
4. "Ultrafast melting of charge-density wave fluctuations at room temperature in 1T-TiSe2 monitored under non-equilibrium conditions"
   • Y. Mizukoshi, T. Fukuda, Y. Komori, R. Ishikawa, K. Ueno and M. Hase
   • Appl. Phys. Lett. 122 (2023) 243101
   • DOI:10.1063/5.0153161
5. "Photoinduced Structural Dynamics of 2H-MoTe2 Under Extremely High-Density Excitation Conditions"
   • T. Fukuda, U. Ozaki, S. Jeong, Y. Arashida, K. En-ya, S. Yoshida, P. Fons, J. Fujita, K. Ueno, M. Hase, M. Hada
   • J. Phys. Chem. C 127 (2023) 13149-13156
   • DOI:10.1021/acs.jpcc.3c02838
6. "Influence of Effective Mass on Carrier Concentration for PEDOT:PSS and S-PEDOT Thin Films Studied by Ellipsometry and Hall Measurement"
   • R. Sato, Y. Wasai, Y. Izumi, K. Ueno, and H. Shirai
   • J. Phys. Chem. C 127 (2023) 13196-13206
   • DOI:10.1021/acs.jpcc.3c01497
7. "Soft X-ray Photoelectron Momentum Microscope for Multimodal Valence Band Stereography"
   • F. Matsui, K. Hagiwara, E. Nakamura, T. Yano, H. Matsuda, Y. Okano, S. Kera, E. Hashimoto, S. Koh, K. Ueno, T. Kobayashi, E. Iwamoto, K. Sakamoto, S. Tanaka, and S. Suga
   • Rev. Sci. Instrum. 94 (2023) 083701
   • DOI:10.1063/5.0154156
8. "Silicon-van der Waals heterointegration for CMOS-compatible logic-in-memory design"
   • M.-P. Lee, C. Gao, M.-Y. Tsai, C.-Y. Lin, F.-S. Yang, H.-Y. Sung, C. Zhang, W. Li, J. Li, J. Zhang, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, K. Tsukagoshi, C.-H. Ho, J. Chu, P.-W. Chiu, M. Li, W.-W. Wu, and Y.-F. Lin
   • Sci. Adv. 9 (2023) eadk1597
   • DOI:10.1126/sciadv.adk1597
9. "Realization of MoTe2 CMOS inverter by contact doping and channel encapsulation"
   • T. Xie, M. Ke, K. Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, N. Aoki
   • Jpn. J. Appl. Phys., accepted for publication
   • DOI:10.35848/1347-4065/ad16bc
10. "Work function modulation of Bi/Au bilayer system toward p-type WSe2 FET"
    • R. Nakajima, T. Nishimura, K. Ueno, K. Nagashio
    • ACS Appl. Electron. Mater., ASAP (2023)
    • DOI:10.1021/acsaelm.3c01091
11. "Coherent optical response driven by non-equilibrium electron-phonon dynamics in a layered transition-metal dichalcogenide"
    • T. Fukuda, K. Makino, Y. Saito, P. Fons, A. Ando, T. Mori, R. Ishikawa, K. Ueno, J. Afalla, and M. Hase
    • APL Materials, accepted for publication (2024)

総説，解説等†

1. 「1次元遷移金属ダイカルコゲナイド細線の気相成長」
   • 中西勇介、リムホンエン、宮田耕充
   • 応用物理　第92巻　第5号 (2023) 292-296.
   • DOI:10.11470/oubutsu.92.5_292

著書†

1. 「遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎と最新動向」
   • 宮田耕充、吾郷浩樹、松田一成、長汐晃輔　監修、シーエムシー出版、2023、ISBN 978-4-7813-1758-8
   • 執筆担当　第13章「遷移金属ダイカルコゲナイドのバルク単結晶成長」

学会（予定も含む）†

• 第65回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2023年9月4〜6日、九州大学）
  • Few-Layer WSxSe2-x on High-κ AlxTi1-xOy Dielectric Using Consistent Mist CVD and Applied in MOSFETs Devices
    • 1Ritsumeikan Univ., 2Saitama Univ. ○Abdul Kuddus1, Kojun Yokoyama2, Keiji Ueno2, Shinichiro Mouri1, Hajime Shirai2 1P-17

• 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) (Sep. 5-8, 2023, Nagoya Congress Center, Nagoya)
  • Stack control of Bi/Au bilayer electrodes toward p-type WSe2 FET
    • 1The Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3Tokyo Metropolitan Univ. ○Ryuichi Nakajima1, Tomonori Nishimura1, Keiji Ueno2, Yasumitsu Miyata3, Kosuke Nagashio1 A-7-03

• 日本物理学会　第78回年次大会（2023年9月16～19日、東北大学）
  • 半導体2H-MoTe2における時間領域反射率変化の初期応答
    • 筑波大数理、慶大電情A、産総研B、埼大院理工C　○福田拓未、Paul FonsA、牧野孝太郎B、齊藤雄太B、上野啓司C、Jessica Afalla、長谷宗明　17aPS-17
  • TiSe2のCDW転移に伴う3Dフェルミ面構造の変化
    • 阪大産研A, 埼玉大理工B, 分子研UVSORC ○田中慎一郎A、菅滋正A、上野啓司B、福谷圭佑C, 松井文彦C、田中清尚C　17pB104-10

• 2023年　第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月19～23日、ハイブリッド開催（熊本城ホールほか3会場＋オンライン））
  • Fabrication of CTFET inverter based on MoTe2
    • 1Chiba Univ, 2Saitama Univ　〇Tianshun Xie1, Mengnan Ke1, Keiji Ueno2, Nobuyuki Aoki1　19p-P01-73
  • 二次元WSe2/WOX電荷トラップメモリにおける光シナプス可塑性
    • 1関西大システム理工、2物材機構、3埼玉大院理工　〇金谷 瞳1、櫛原 快児1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1　19p-P01-74
  • 二次元層状物質WSe2からのテラヘルツ波発生におけるメカニズムの研究
    • 1筑波大数理物質、2福井大遠赤セ、3埼玉大院理工、4理化学研究所　〇山田 知穂1、高見沢 仙美1、Joselito Muldera4、上野 啓司3、谷 正彦2、Jessica Afalla1、長谷 宗明1　20a-B203-4
  • [講演奨励賞受賞記念講演] 表面偏析による積層構造制御を利用したWSe2 FETのp型動作
    • 1東大、2埼玉大、3都立大　〇中島 隆一1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、宮田 耕充3、長汐 晃輔1　21a-A202-1
  • 銀電極を用いた1T-VSe2抵抗変化メモリにおける低電圧・安定動作
    • 1関西大院理工、2.埼玉大院理工　〇中村 優太1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1　21a-A202-6
  • ReドープMoSe2同一結晶面内ヘテロ構造によるトンネルFET動作
    • 1東大、2埼大　〇香崎 飛竜1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、長汐 晃輔1　22a-A202-2
  • Decomposition and Size Distribution Monitoring of AlTiO and MoS2 Precursor Mist Particles using a Fast-Scanning Mobility Particle Sizer
    • 1Ritsumeikan Univ., 1Saitama Univ.　〇Abdul A Kuddus1, Kojun Yokoyama1, Keiji Ueno1, Shinichiro Mouri1, Hajime Shirai1　22p-P07-6
  • 自然酸化層を介した遷移金属ダイカルコゲナイド上への原子層堆積
    • 1大阪公立大工、2埼玉大理工、3JSTさきがけ　〇田原 匠陽1、上野 啓司2、野内 亮1, 3　23a-A202-10
  • 二次元層状物質NbOI2の光学応答
    • 1東大院理、2埼玉大院理工　〇三塚 新1、安田 偉1、河口 真志1、森戸 智2、上野 啓司2、林 将光1　23p-A202-5
  • 半導体2H-MoTe2の高密度電子励起下における過飽和吸収現象の観測
    • 1筑波大数理、2慶大電情、3埼大院理工　〇福田 拓未1、尾崎 卯汰1、鄭 サムエル1、嵐田 雄介1、塩谷 海斗1、吉田 昭二1、フォンス ポール2、藤田 淳一1、上野 啓司3、長谷 宗明1、羽田 真毅1　23p-B204-5
  • 超高速かつロバストな遷移金属ダイカルコゲナイド過飽和吸収体
    • 1筑波大数理、2埼玉大院理工　〇尾崎 卯汰1、福田 拓未1、岩崎 ゆい1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、上野 啓司2、長谷 宗明1、羽田 真毅1　23p-B204-7

研究会，セミナー講演（予定も含む）†

外部資金獲得状況†

1. 2021～2023年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」
2. 2022～2023年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　学術変革領域研究（Ａ）（公募研究）　代表：上野啓司　「ファンデルワースル積層構造のための新規バッファ層物質：硫化ガリウムの応用」
3. 2022〜2026年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｓ）　代表：長汐晃輔（東京大学）　「超低消費電力システム構築のための２次元トンネルＦＥＴの集積化」研究分担者
4. 2022～2025年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）　代表：山本真人（関西大学）　「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」　研究分担者
5. 2022～2024年度　国立研究開発法人科学技術振興機構　国際科学技術協力基盤整備事業　日本-台湾研究交流(AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術)　代表：山本真人（関西大学）「神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出」　研究分担者
6. 2023～2025年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：リムホンエン　「ヘテロ固体界面における原子層物質の成長」

学会等の活動†

• 日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　委員