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• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2018 へ行く。
  • 1 (2018-03-28 (水) 11:51:23)
  • 2 (2018-03-28 (水) 11:59:10)
  • 3 (2018-04-01 (日) 10:40:48)
  • 4 (2018-04-01 (日) 19:12:33)
  • 5 (2018-04-02 (月) 17:21:45)
  • 6 (2018-04-17 (火) 21:59:00)
  • 7 (2018-04-21 (土) 17:16:39)
  • 8 (2018-04-27 (金) 23:55:19)
  • 9 (2018-05-01 (火) 23:38:00)
  • 10 (2018-05-03 (木) 14:32:04)
  • 11 (2018-05-07 (月) 07:54:15)
  • 12 (2018-05-16 (水) 19:27:37)
  • 13 (2018-07-04 (水) 15:46:11)
  • 14 (2018-07-13 (金) 23:03:42)
  • 15 (2018-08-10 (金) 12:14:41)
  • 16 (2018-09-11 (火) 14:11:24)
  • 17 (2018-09-26 (水) 12:29:28)
  • 18 (2018-11-08 (木) 15:27:58)
  • 19 (2018-11-29 (木) 07:43:41)
  • 20 (2018-12-07 (金) 12:46:52)
  • 21 (2019-01-04 (金) 09:58:43)
  • 22 (2019-01-12 (土) 11:09:49)
  • 23 (2019-02-05 (火) 11:06:26)
  • 24 (2019-03-27 (水) 23:16:15)
  • 25 (2019-04-10 (水) 15:48:06)
  • 26 (2019-06-25 (火) 12:09:49)

研究室教員†

• 准教授　上野　啓司（研究室Webページ）
• Researcher ID: B-2741-2012
• ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382

研究課題†

1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定

発表論文†

1. "Anisotropic Band Splitting in Monolayer NbSe2: Implications for Superconductivity and Charge Density Wave"
   • Y. Nakata, K. Sugawara, S. Ichinokura, Y. Okada, T. Hitosugi, T. Koretsune, K. Ueno, S. Hasegawa, T. Takahashi, and T. Sato
   • npj 2D Materials and Applications 2 (2018) 12
   • DOI:10.1038/s41699-018-0057-3
2. "Fabrication and Surface Engineering of Two-Dimensional SnS Toward Piezoelectric Nanogenerator Application"
   • N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Ueno and Kosuke Nagashio
   • MRS Advances 3 (2018) 2809-2814
   • DOI:10.1557/adv.2018.404
3. "Pronounced photogating effect in atomically thin WSe2 with a self-limiting surface oxide layer"
   • M. Yamamoto, K. Ueno and K. Tsukagoshi
   • Appl. Phys. Lett. 112 (2018) 181902 (5 pages)
   • DOI:10.1063/1.5030525
4. "Ultrathin Bismuth Film on 1T-TaS2: Structural Transition and Charge-Density-Wave Proximity Effect"
   • K. Yamada, S. Souma, K. Yamauchi, N. Shimamura, K. Sugawara, C. Trang, T. Oguchi, K. Ueno, T. Takahashi, T. Sato
   • Nano Lett. 18 (2018) 3235–3240
   • DOI:10.1021/acs.nanolett.8b01003
5. "Fabrication of [CH(NH2)2]0.8Cs0.2PbI3 perovskite thin films for n-i-p planar-structure solar cells by a one-step method using 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone as an additive"
   • R. Ishikawa, K. Ueno and H. Shirai
   • Chem. Lett. 47 (2018) 905-908
   • DOI:10.1246/cl.180216
6. "2-Dimensional Tunnel FETs with a Stable Charge-Transfer-Type p+-WSe2 Source"
   • J. He, N. Fang, K. Nakamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
   • Adv. Electron. Mater. 4 (2018) 1800207
   • DOI:10.1002/aelm.201800207
7. "Self-passivated ultra-thin SnS layers via mechanical exfoliation and post-oxidation"
   • N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, M. Nakamura, K. Shimamura, N. Ohashi, K. Ueno and K. Nagashio
   • Nanoscale 10 (2018) 22474-22483
   • DOI:10.1039/C8NR06390G
8. "Site-dependence of relationships between photoluminescence and applied electric field in monolayer and bilayer molybdenum disulfide"
   • J. Nozaki, H. Nishidome, M. Maruyama, S. Okada, S. Kusaba, K. Tanaka, K. Ueno, Y. Yomogida, and K. Yanagi
   • Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) 015001
   • DOI:10.7567/1347-4065/aaead2
9. "Gate-Tunable Thermal Metal-Insulator Transition in VO2 Monolithically Integrated into a WSe2 Field-Effect Transistor"
   • M. Yamamoto, R. Nouchi, T. Kanki, A. Hattori, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, H. Tanaka
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 11 (2019) 3224–3230
   • DOI:10.1021/acsami.8b18745

学会†

• 日本分析化学会　第67年会（2018年9月12～14日，東北大学川内北キャンパス）
  • SnS2二次元薄膜における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング
    • 東北大院環境1，東北大AIMR2，東北大院工3，埼玉大院理工4，金沢大WPI-NanoLSI5　○小川 寛人1，熊谷 明哉1,2，上野 啓司4，井田 大貴1，高橋 康史5，末永 智一1，珠玖 仁3　Y1108

• 2018年　第79回応用物理学会秋季学術講演会（2018年9月18〜21日，名古屋国際会議場）
  • レーザー照射による2層WSe2の最表層選択的酸化
    • 1阪大ナノセンター，2WPI-MANA 物材機構，3埼玉大院理工，4阪大産研　〇塩谷 広樹1，塚越 一仁2，上野 啓司3，大岩 顕4　18p-224B-2
  • 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（３）
    • 埼玉大院理工　〇池田 幸弘，上野 啓司　18p-PB3-79
  • カリウム塩をアシスト剤に用いた単層 MoS2 及び WS2 の化学気相成長
    • 埼玉大院理工　〇五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司　18p-PB3-80
  • ALD成長In2O3薄膜のSe化
    • 1埼大院理工，2物材機構　〇近野 健人1，木津 たきお2，塚越 一仁2，上野 啓司1　18p-PB3-81
  • 表面酸化によるWSe2上のALD成長Al2O3膜質改善
    • 埼玉大院理工　〇町田 葉祐，上野 啓司　18p-PB3-87
  • SnSe2 FETのInドープによる電気的挙動変化
    • 埼玉大院理工　〇赤根 大介，上野 啓司　18p-PB3-89
  • ヒ素をドープした MoSe2 FET の動作特性 (2)
    • 埼玉大院理工　〇堀井 嵩斗，上野 啓司　18p-PB3-90
  • Passivation of nanopillar Si surface by ALD-Al2O3 and its effect on PV performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells
    • 1Saitama University, 2Toyo University 〇Md Enamul Karim1, R. Ishikawa1, K. Ueno1, H. Shirai1, S. Kurosu2, Y. Nakajima2, Y. Fujii2, M. Tokuda2, T. Hanajiri2 19p-PA5-4
  • 遷移金属ダイカルコゲナイド強磁性体の物性とヘテロ構造作製
    • 1東大生研，2東大院工，3埼大院理工，4CREST-JST　〇守谷 頼1，山崎 雄司1，荒井 美穂1，増渕 覚1，卞 舜生2，為ヶ井 強2，上野 啓司3，町田 友樹1,4　19p-331-2
  • 添加剤を用いた一段階法によるKx(FA0.8Cs0.2)1-xPbI3薄膜の作製及び評価
    • 埼大院理工　〇石川 良1，上野 啓司1，白井 肇　20a-432-6
  • Photovoltaic performance of PEDOT:PSS/c-Si junction solar cells by adding ferroelectric polymer thin-layer
    • 1Saitama University, 2Ideal Star Inc. 〇ATM Saiful Islam1, R. Ishikawa1, K. Ueno1, H. Shirai1, K. Omote2, K. Yokoo1 20p-133-12
  • Exciton Diffusion in a hBN-encapsulated Monolayer Transition Metal Dichalcogenide
    • 1Nagoya Univ., 2Saitama Univ., 3NIMS 〇Takato Hotta1, Syohei Higuchi1, Yosuke Uchiyama1, Keiji Ueno2, Kenji Watanabe3, Takashi Taniguchi3, Hisanori Shinohara1, Ryo Kitaura1 20p-221B-3
  • Role of Traps in Few Layer n-ReS2 Phototransistor on top of p-MoTe2 Layer
    • 1Natl. Inst. For Materials Science, 2Saitama University 〇Bablu Mukherjee1, Mohd Amir Zulkefli1, Keiji Ueno2, Yutaka Wakayama1, Shu Nakaharai1 21p-PB3-4

• 第37回電子材料シンポジウム（2018年10月10〜12日，ホテル&リゾーツ長浜）
  • 二次元層状物質薄膜のヘテロエピタキシャル成長
    • 埼玉大院理工　上野啓司　SP-2（招待講演）

• 2019年　第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月9〜12日，東京工業大学）
  • 2次元層状物質材料の基礎と薄膜形成法
    • 埼玉大　上野 啓司　9a-M111-1（チュートリアル講演）
  • フッ化アミン処理によるペロブスカイト太陽電池の高性能化
    • 埼玉大院理工　〇石川 良，上野 啓司，白井 肇　9a-S222-1
  • フッ素系ポリマー混成ペロブスカイト太陽電池の作成と評価
    • 埼玉大院理工　〇守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇　9a-S222-2
  • Study on interface recombination characteristics of crystalline-silicon/organic heterojunction solar cells
    • Saitama University　〇ATM Saiful Islam, Yuki Nasuno, Daisuke Harada, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Hajime Shirai　9a-W611-6
  • PEDOT:PSS/n-Si heterojunction solar cells with ALD-Al2O3 /n-Si field effect inversion layer
    • 1Saitama University, 2Toyo University　〇Md Enamul Karim1, Tomofumi Ukai2, Daisuke Harada1, A.T.M. Saiful Islam1, Shunji Kurosu2, Yoshikata Nakajima2, Yasuhiko Fujii2, Masahide Tokuda2, Tatsuro Hanajiri2, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Hajime Shirai1　9a-W611-7
  • 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（４）
    • 埼玉大院理工　〇池田 幸弘，上野 啓司　10p-PB5-34
  • 1T-MoSe2挿入による 2H-MoSe2 FET のピニング緩和
    • 埼玉大院理工　〇堀井 嵩斗，上野 啓司　10p-PB5-39
  • hBNサンドしたTMD原子層における励起子拡散
    • 1名大理，2埼玉大理，3NIMS　〇堀田 貴都1，樋口 翔平1，内山 揚介1，上野 啓司2，渡邊 賢司3，谷口 尚3，篠原 久典1，北浦 良1　10p-PB5-45
  • アルカリ塩をアシスト剤に用いた気相成長単層MoS2及びWS2のFET応用
    • 埼玉大院理工　〇五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司　10p-PB5-48
  • p+-WSe2/MoS2 TFETにおけるMoS2厚さによるバンドアライメント制御
    • 1東大，2物材機構，3埼玉大　〇中村 圭吾1，永村 直佳2，上野 啓司3，谷口 尚2，渡邊 健司2，長汐 晃輔1　11p-W521-3

研究会，セミナー講演†

1. 「カルコゲナイド系層状物質原子膜の作製と素子応用」上野啓司，第 14 回量子ナノ材料セミナー，埼玉，２０１８年９月２５日（招待講演）。

外部資金獲得状況†

1. 2018〜2020年度　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）一般　代表：上野啓司　「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」

学会等の活動†

• 第31回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)）論文委員
• 日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　2018年度委員
• The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies（EM-NANO2019）論文委員
• The 11st annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference（RPGR2019）プログラム委員