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• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2022 へ行く。
  • 1 (2022-04-01 (金) 00:28:18)
  • 2 (2022-04-01 (金) 21:12:14)
  • 3 (2022-04-27 (水) 16:31:51)
  • 4 (2022-05-24 (火) 06:45:02)
  • 5 (2022-06-11 (土) 09:11:10)
  • 6 (2022-06-17 (金) 16:07:58)
  • 7 (2022-07-14 (木) 15:04:40)
  • 8 (2022-07-25 (月) 22:04:11)
  • 9 (2022-08-18 (木) 00:22:43)
  • 10 (2022-08-25 (木) 18:21:04)
  • 11 (2022-08-25 (木) 18:21:04)
  • 12 (2022-09-10 (土) 16:01:47)
  • 13 (2022-09-11 (日) 10:46:30)
  • 14 (2022-09-14 (水) 18:33:18)
  • 15 (2022-09-23 (金) 21:03:25)
  • 16 (2022-09-29 (木) 22:52:37)
  • 17 (2022-11-02 (水) 14:56:45)
  • 18 (2022-11-03 (木) 20:24:08)
  • 19 (2022-11-25 (金) 18:48:27)
  • 20 (2022-12-26 (月) 12:14:51)
  • 21 (2023-02-22 (水) 16:58:08)
  • 22 (2023-02-27 (月) 23:04:29)
  • 23 (2023-03-03 (金) 23:14:14)
  • 24 (2023-04-04 (火) 15:28:33)
  • 25 (2023-04-11 (火) 18:55:11)

研究室教員†

• 教授　上野　啓司（研究室Webページ）
  • Researcher ID: B-2741-2012
  • ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382
  • 2022, 2023年度　基礎化学プログラム・学科長
• 助教　Lim Hong En（リム・ホン・エン）

研究課題†

1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定

発表論文†

1. "Ultrafast Operation of 2D Heterostructured Nonvolatile Memory Devices Provided by the Strong Short-Time Dielectric Breakdown Strength of h-BN"
   • T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 14 (2022) 25659–25669
   • DOI:10.1021/acsami.2c03198
2. "Reversible Charge-polarity Control for Multioperation-mode Transistors Based on van der Waals Heterostructures"
   • C.-F. Chen, S.-H. Yang, M.-P. Lee, M.-Y. Tsai, F.-S. Yang, Y.-M. Chang, C.-Y. Lin, M. Li, K.-C. Lee, K. Ueno, Y. Shi, C. H. Lien, W.-W. Wu, P.-W. Chiu, S.-T. Lo, and Y.-F. Lin
   • Adv. Sci., 9 (2022) 2106016
   • DOI:10.1002/advs.202106016
3. "Diffused Beam Energy to Dope van der Waals Electronics and Boost Their Contact Barrier Lowering"
   • C.-Y. Lin, M.-P. Lee, Y.-M. Chang, Y.-T. Tseng, F. -S. Yang, M. Li, J.-C. Chen, C.-F. Chen, M.-Y. Tsai, Y.-C. Lin, K. Ueno, M. Yamamoto, S.-T. Lo, C.-H. Lien, P.-W. Chiu, K. Tsukagoshi, W.-W. Wu, Y.-F. Lin
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 14 (2022) 41156–41164
   • DOI:/10.1021/acsami.2c07679
4. "Is band gap of bulk PdSe2 located really in far infrared region? Determination by Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy"
   • W. Nishiyama, T. Nishimura, M. Nishioka, K. Ueno, S. Iwamoto, and K. Nagashio
   • Adv. Photonics Res. 3 (2022) 2200231
   • DOI:10.1002/adpr.202200231
5. "Emergence of interlayer coherence in twist-controlled graphene double layers"
   • K. A. Lin, N. Prasad, G. W. Burg, B. Zou, K. Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. H. MacDonald, and E. Tutuc
   • Phys. Rev. Lett. 129 (2022) 187701
   • DOI:10.1103/PhysRevLett.129.187701
6. "Enhanced contact properties of MoTe2-FET via laser-induced heavy doping"
   • T. Xie, K. Fukuda, M. Ke, P. Krüger, K. Ueno, G.-H. Kim, N. Aoki
   • Jpn. J. Appl. Phys. 62 (2023) SC1010
   • DOI:10.35848/1347-4065/aca67e
7. "Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics"
   • H. Ogura, S. Kawasaki, Z. Liu, T. Endo, M. Maruyama, Y. Gao, Y. Nakanishi, H.E. Lim, K. Yanagi, T. Irisawa, K. Ueno, S. Okada, K. Nagashio, Y. Miyata
   • ACS Nano 17 (2023) 6545-6554
   • DOI:10.1021/acsnano.2c11927
8. "Carrier Transport Properties in Few-Layer WS0.3Se1.7/(WOx)WS0.3Se1.7 Lateral p+-n Junctions Using a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFETs) Structure"
   • A. Kuddus, K. Yokoyama, W. Fan, K. Ueno, H. Shirai
   • ACS Appl. Electron. Mater. 5 (2023) 1546–1557
   • DOI:10.1021/acsaelm.2c01598

学会（予定も含む）†

• The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22) (2022 9.11-16, Sapporo Convention Center, Sapporo)
  • Multi-atom resonant photoemission from the valence band of TiSe2
    • 1Sanken, Osaka University, 2Graduate School of Science and Engineering Saitama University, 3UVSOR Synchrotron Facility, Institute for Molecular Science 〇Shin-ichiro Tanaka1, Keiji Ueno2, Keisuke Fukutani3, Fumihiko Matsui3 Tue-F1-2
  • Femtosecond-laser induced Tellurium segregation in polymorphic two-dimensional layered MoTe2
    • 1University of Tsukuba, 2National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 3Keio University, 4Saitama University 〇Takumi Fukuda1, Ryota Kaburauchi1, Yuta Saito2, Kotaro Makino2, Paul Fons3, Keiji Ueno4, Muneaki Hase1, Tue-PO1B-23
  • Coherent phonon dynamics in a strongly correlated system of 1T–TiSe2
    • 1University of Tsukuba, 2Saitama University 〇Yu Mizukoshi1, Takumi Fukuda1, Yuta Komori1, Ryo Ishikawa2, Keiji Ueno2, Muneaki Hase1 Wed-PO1B-23

• 2022年　第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月20～23日、ハイブリッド開催（東北大学　川内北キャンパス＋オンライン））
  • 二次元WOxをトラップ層とするMoS2電荷トラップメモリの作製
    • 1関西大院理工、2,埼玉大院理工　〇野村 尚哉1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1　21p-P12-47
  • 二次元WSe2電荷トラップメモリにおけるシナプス動作
    • 1関西大院理工、2物材機構、3埼玉大院理工　〇櫛原 快児1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1　21p-P12-53
  • Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS0.3Se1.7/WOx Lateral p+-n Junctions
    • Saitama University 〇Abdul A Kuddus、Kojun Yokoyama、Keiji Ueno、Hajime Shirai　21p-B202-3
  • レーザー誘起ドーピング技術を用いてp型MoTe2-TFETの実現
    • 1千葉大工、2埼玉大理工　〇謝 天順1、福田 和紀1、柯 梦南1、上野 啓司2、青木 伸之1　22a-B202-2
  • 極薄Bi/Au蒸着がWSe2に及ぼす影響のXPSによる評価
    • 1東京大、2埼玉大　〇中島 隆一1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1　22a-B202-6
  • 高密度電子励起に伴うMoTe2の超高速格子ダイナミクス
    • 1筑波大数理、2産総研、3慶大電情、4埼大理工　〇福田 拓未1、蕪内 涼太1、齋藤 雄太2、牧野 孝太郎2、フォンス ポール3、石川 良4、上野 啓司4、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、羽田 真毅1、長谷 宗明1　23a-C206-2
  • 強相関電子系1T-TiSe2におけるコヒーレントフォノンダイナミクス
    • 1筑波大数理、2埼大理工　〇水越 優1、福田 拓未1、小森 雄太1、石川 良2、上野 啓司2、長谷 宗明1　23a-C206-4

• 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月15～18日、ハイブリッド開催（上智大学四谷キャンパス＋オンライン））
  • ALD成長WS2薄膜のサイクル数に応じた組成変化
    • 埼玉大院理工　〇福島 崇史、リム ホン エン、上野 啓司　15a-PA01-36
  • 液体前駆体を用いたNbS2薄膜の成長とXPS解析
    • 埼玉大院理工　〇吉田 考希、リム ホン エン、上野 啓司　15a-PA01-37
  • 分子吸着ドーピングと表面酸化によるWSe2の局所キャリア制御
    • 1関西大システム理工、2物材機構、3埼玉大院理工 〇四方 沢弥1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1　15a-PA01-53
  • 1T-VSe2の表面酸化膜を用いた抵抗変化メモリの作製
    • 1関西大システム理工、2埼玉大院理工　〇中村 優太1、稲田 貢1、谷 弘詞1、上野 啓司1、山本 真人1　15a-PA01-55
  • 二次元WSe2の自己制限酸化膜を利用したメモリの作製
    • 1関西大システム理工、2埼玉大院理工　〇寒川 雄斗1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1　15a-PA01-56
  • 導電性高分子SELFTRONⓇH/n-Si接合太陽電池
    • 埼玉大理工研　〇佐藤 亮汰、伊達 仁基、石川 良、上野 啓司、白井 肇　17a-PA05-2
  • 表面偏析によるBi 薄膜化を利用したBi/Au コンタクトWSe2 FETのp型動作
    • 1東京大工、2埼玉大院理工)　〇中島 隆一1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1　17a-B414-4
  • レーザー誘起ドーピング技術を用いた高性能TFETの作製
    • 1千葉大工、2埼玉大院理工　〇謝 天順1、柯 梦南1、上野 啓司2、青木 伸之1　17a-B414-5

• 日本物理学会　2023年春季大会（2023年3月22～25日、オンライン開催）
  • TiSe2の波数分解共鳴光電子分光：原子間相互作用と負のq値
    • 阪大産研A, 埼玉大B, 分子研UVSORC　〇田中慎一郎A, 菅滋正A, 上野啓司B, 福谷圭祐C, 松井文彦C　24pE2-3
  • スピン分解Momentum Microscopyによるワイル半金属MoTe2のスピン電子状態解明
    • ユーリッヒ研A, デュースブルク・エッセン大B, 分子研UVSORC, 埼大理工D, 阪大産研E　〇萩原健太A, B, C, Philipp RüßmannB, Xin Liang TanA, B, Ying-Jiun ChenA, B, 上野啓司D, Vitaliy FeyerA, B, Giovanni ZamborliniA, Matteo JugovacA, 菅滋正A, E, Stefan BlügelA, Claus Michael SchneiderA, B, Christian TuscheA, B　24pE2-6

研究会，セミナー講演（予定も含む）†

外部資金獲得状況†

1. 2021～2023年度　日本学術振興会　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」
2. 2022～2023年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　学術変革領域研究（Ａ）（公募研究）　代表：上野啓司　「ファンデルワースル積層構造のための新規バッファ層物質：硫化ガリウムの応用」
3. 2022〜2026年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｓ）　代表：長汐晃輔（東京大学）　「超低消費電力システム構築のための２次元トンネルＦＥＴの集積化」研究分担者
4. 2022～2025年度　日本学術振興会　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）　代表：山本真人（関西大学）　「遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を酸化前駆体とする機能性酸化物超薄膜の創出」　研究分担者
5. 2022～2024年度　国立研究開発法人科学技術振興機構　国際科学技術協力基盤整備事業　日本-台湾研究交流(AIシステム構成に資するナノエレクトロニクス技術)　代表：山本真人（関西大学）「神経模倣コンピュータ応用に向けた超低消費電力二次元材料不揮発性メモリの創出」　研究分担者

学会等の活動†

• 日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　委員