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• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2020 へ行く。
  • 1 (2020-03-16 (月) 16:22:47)
  • 2 (2020-03-16 (月) 16:23:05)
  • 3 (2020-04-10 (金) 16:59:10)
  • 4 (2020-04-18 (土) 09:09:15)
  • 5 (2020-04-28 (火) 11:19:55)
  • 6 (2020-06-03 (水) 21:59:50)
  • 7 (2020-07-07 (火) 07:22:46)
  • 8 (2020-07-24 (金) 09:57:43)
  • 9 (2020-08-21 (金) 17:58:42)
  • 10 (2020-09-13 (日) 10:07:26)
  • 11 (2020-09-14 (月) 12:34:43)
  • 12 (2020-09-15 (火) 09:20:43)
  • 13 (2020-09-22 (火) 07:21:32)
  • 14 (2020-09-22 (火) 12:37:37)
  • 15 (2020-10-09 (金) 18:12:11)
  • 16 (2020-10-27 (火) 06:22:41)
  • 17 (2020-11-05 (木) 11:50:03)
  • 18 (2020-11-06 (金) 09:13:44)
  • 19 (2020-11-18 (水) 21:39:10)
  • 20 (2020-11-26 (木) 21:04:09)
  • 21 (2020-12-14 (月) 14:22:00)
  • 22 (2020-12-15 (火) 10:07:53)
  • 23 (2020-12-24 (木) 22:34:51)
  • 24 (2021-01-17 (日) 06:39:13)
  • 25 (2021-01-27 (水) 09:48:14)
  • 26 (2021-02-06 (土) 23:39:37)
  • 27 (2021-03-26 (金) 09:43:43)

研究室教員†

• 教授　上野　啓司（研究室Webページ）
• Researcher ID: B-2741-2012
• ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382

研究課題†

1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定

発表論文†

1. "Synthesis of AlOx thin films by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition for surface passivation and electrical insulator layers"
   • A. Rajib, K. M. Enamul, S. Kurosu, T. Ukai, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
   • J. Vac. Sci. Technol. A 38 (2020) 033413
   • DOI:10.1116/1.5143273
2. "Flat bands in twisted bilayer transition metal dichalcogenides"
   • Z. Zhang, Y. Wang, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Ueno, E. Tutuc and B.J. LeRoy
   • Nature Physics 16 (2020)1093–1096
   • DOI:10.1038/s41567-020-0958-x
   • View-only access is here
3. "Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlOx/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality"
   • Md E. Karim, Y. Nasuno, A. Kuddus, T. Ukai, S. Kurosu, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
   • J. Appl. Phys. 128 (2020) 045305
   • DOI:10.1063/5.0007918
4. "Facile and reversible carrier-type manipulation of layered MoTe2 toward long-term stable electronics"
   • M. Li, C.-Y. Lin, Y.-M. Chang, S.-H. Yang, M.-P. Lee, C.-F. Chen, K.-C. Lee, F.-S. Yang, Y. Chou, Y.-C. Lin, K. Ueno, Y. Shi, Y.-C. Chou, K. Tsukagoshi, Y.-F. Lin
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 12 (2020) 42918-42924
   • DOI:10.1021/acsami.0c09922
5. "Exciton diffusion in hBN-encapsulated monolayer MoSe2"
   • T. Hotta, S. Higuchi, A. Ueda, K. Shinokita, Y. Miyauchi, K. Matsuda, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and R. Kitaura
   • Phys. Rev. B 102 (2020) 115424
   • DOI:10.1103/PhysRevB.102.115424
6. "Understanding the Memory Window Overestimation of 2D Materials Based Floating Gate Type Memory Devices by Measuring Floating Gate Voltage"
   • T. Sasaki, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, T. Nishimura, and K. Nagashio
   • Small 16 (2020) 2004907
   • DOI:10.1002/smll.202004907
7. "All 2D heterostructure Tunnel Field Effect Transistors: Impact of Band Alignment and Heterointerface Quality"
   • K. Nakamura, N. Nagamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, K. Nagashio
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 12 (2020) 51598-51606
   • DOI:10.1021/acsami.0c13233
8. "Enhanced Exciton-Exciton Collisions in an Ultraflat Monolayer MoSe2 Prepared through Deterministic Flattening"
   • T. Hotta, A. Ueda, S. Higuchi, M. Okada, T. Shimizu, T. Kubo, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, R. Kitaura
   • ACS Nano, accepted for publication

学会（予定も含む）†

• 2020年　第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月8～11日，オンライン開催）
  • Fabrication of Carbon Nanotubes Nanostructures
    • 1Nagoya Univ.，2The Univ. of Tokyo，3Saitama Univ.，4NIMS，5AIST　〇(M1)Haruna Nakajima1，Takato Hotta1，Taiki Inoue2，Syohei Chiashi2，Keiji Ueno3，Kenji Watanabe4，Takashi Taniguchi4，Shigeo Maruyama2,5，Ryo Kitaura1　　10a-Z29-14
  • 浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解
    • 1東大工，2埼玉大理，3物材機構　〇佐々木 太郎1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 賢司3，西村 知紀1，長汐 晃輔1　　11p-Z29-10
  • 浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解
    • 1東大工，2埼玉大理，3物材機構　〇佐々木 太郎1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 賢司3，西村 知紀1，長汐 晃輔1　　11p-Z29-11
  • 低バリアの実現に向けた1T’-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクト特性の評価
    • 1千葉大学，2埼玉大学　〇謝 天順1，大内 秀益1，坂梨 昂平1，上野 啓司2，青木 伸之1，　　11a-Z29-13
  • 完全2次元ヘテロTFETによる室温での60mV/dec以下のSS実現
    • 1東大，2NIMS，3埼玉大　中村 圭吾1，永村 直佳2，上野 啓司3，谷口 尚2，渡邊 賢司2，〇長汐 晃輔1　　11p-Z29-16

• 日本物理学会2020年秋季大会（2020年9月8〜11日，オンライン開催）
  • 波数空間におけるMoS2価電子バンドの原子軌道への分解
    • 阪大産研, 埼玉大理工A, 分子研UVSORB　〇田中慎一郎, 上野啓司A，松田博之B，松井文彦B　　9aE2-3

• 分子科学会 オンライン討論会（2020年9月14～17日，オンライン開催）
  • カーボンナノチューブを組み込んだナノ構造体の作製
    • 名大理1，東大工2，埼玉大理3，物材機構4，産総研5　○中嶋春菜1，堀田貴都1，井ノ上泰輝2，千足昇平2，上野啓司3，渡邊賢司4，谷口尚4，丸山茂夫2,5，北浦良1　　4B03

• 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)(Sep. 27-30, virtual conference)
  • The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET
    • K. Nakamura1, N. Nagamura2, K. Ueno3, T. Taniguchi2, K. Watanabe2, 〇Kosuke Nagashio1 (1. The University of Tokyo(Japan), 2. National Institute for Materials Science(Japan), 3. Saitama University(Japan)) H-9-01
  • Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage
    • 〇Taro Sasaki1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1 (1. Univ. of Tokyo(Japan), 2. Saitama Univ.(Japan), 3. NIMS(Japan)) H-9-04

研究会，セミナー講演（予定も含む）†

外部資金獲得状況†

1. 2018〜2020年度　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）一般　代表：上野啓司　「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」

学会等の活動†

• 第33回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2020)）論文委員
• 日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　2020年度委員
• 日本学術振興会　第147委員会委員