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• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2019 へ行く。
  • 1 (2019-03-27 (水) 23:13:17)
  • 2 (2019-03-27 (水) 23:15:45)
  • 3 (2019-04-01 (月) 07:44:19)
  • 4 (2019-04-09 (火) 11:46:04)
  • 5 (2019-04-18 (木) 22:07:28)
  • 6 (2019-05-12 (日) 21:50:03)
  • 7 (2019-06-25 (火) 08:14:02)
  • 8 (2019-07-30 (火) 15:16:18)
  • 9 (2019-09-27 (金) 07:17:12)
  • 10 (2019-10-15 (火) 11:27:11)
  • 11 (2019-10-24 (木) 11:25:48)
  • 12 (2019-10-25 (金) 12:06:36)
  • 13 (2019-11-08 (金) 18:27:53)
  • 14 (2019-11-18 (月) 15:17:24)
  • 15 (2019-11-20 (水) 16:12:24)
  • 16 (2019-11-25 (月) 13:48:54)
  • 17 (2019-11-29 (金) 23:55:03)
  • 18 (2019-12-05 (木) 10:51:47)
  • 19 (2019-12-18 (水) 18:25:07)
  • 20 (2020-01-22 (水) 11:24:24)
  • 21 (2020-02-04 (火) 11:41:51)
  • 22 (2020-02-20 (木) 18:40:02)
  • 23 (2020-02-26 (水) 14:27:57)
  • 24 (2020-03-05 (木) 22:06:51)

研究室教員†

• 教授　上野　啓司（研究室Webページ）
• Researcher ID: B-2741-2012
• ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382

研究課題†

1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定

発表論文†

1. "Highly crystalline large-grained perovskite films using two additives without an antisolvent for high-efficiency solar cells"
   • R. Ishikawa, K. Ueno and H. Shirai
   • Thin Solid Films 679 (2019) 27-34
   • DOI:10.1016/j.tsf.2019.03.030
2. "Dimensionality reduction and band quantization induced by potassium intercalation in 1T-HfTe2
   • Y. Nakata, K. Sugawara, A. Chainani, K. Yamauchi, K. Nakayama, S. Souma, P.-Y. Chuang, C.-M. Cheng, T. Oguchi, K. Ueno, T. Takahashi, and T. Sato
   • Phys. Rev. Mater. 3 (2019) 071001(R)
   • DOI:10.1103/PhysRevMaterials.3.071001
3. "Barrier Formation at the Contacts of Vanadium Dioxide and Transition-Metal Dichalcogenides"
   • M. Yamamoto, R. Nouchi, T. Kanki, S. Nakaharai, A. N. Hattori, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Wakayama, K. Ueno, and H. Tanaka
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 11 (2019) 36871-36879
   • DOI:10.1021/acsami.9b13763
4. "Role of the solvent in large crystal grain growth of inorganic-organic halide FA0.8Cs0.2PbIxBr3−x perovskite thin films monitored by ellipsometry
   • K. Kawamura, R. Ishikawa, Y. Wasai, N. Nabatova-Gabain, S. Kurosu, T. Ukai, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, K. Ueno, and H. Shirai
   • J. Vac. Sci. & Technol. B 37 (2019) 062401
   • DOI:10.1116/1.5123399
5. "Selective oxidation of the surface layer of bilayer WSe2 by laser heating"
   • H. Shioya, K. Tsukagoshi, K. Ueno, and A. Oiwa
   • Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) 120903
   • DOI:10.7567/1347-4065/ab50da
6. "Oxygen-sensitive layered MoTe2 channels for environmental detection"
   • S.-H Yang, C.-Y. Lin, Y.-M. Chang, M. Li, K.-C. Lee, C.-F. Chen, F.-S. Yang, C.-H Lien, K. Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Tsukagoshi, Y.-F. Lin
   • ACS Appl. Mater. Interfaces 11 (2019) 47047-47053
   • DOI:10.1021/acsami.9b15036
7. "Self-assembled Fluorinated Polymer Passivation Layer for Efficient Perovskite Thin-film Solar Cells"
   • Y. Moriya, R. Ishikawa, S. Akiyama, K. Ueno, H. Shirai
   • Chem. Lett. 49 (2020) 87-90
   • DOI:10.1246/cl.190692
8. "Low-temperature growth of crystalline tungsten disulfide thin films by using organic liquid precursors"
   • Y. Ikeda and K. Ueno
   • Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SCCC04
   • DOI:10.7567/1347-4065/ab489a
9. "Improved efficiency of methylammonium-free perovskite thin film solar cells by fluorinated ammonium iodide treatment"
   • R. Ishikawa, K. Ueno, H. Shirai
   • Organic Electronics 78 (2020) 105596
   • DOI:10.1016/j.orgel.2019.105596
10. "Investigation of laser-induced-metal phase of MoTe2 and its contact property via scanning gate microscopy"
    • K. Sakanashi, H. Ouchi, K. Kamiya, P. Krüger, K. Miyamoto, T. Omatsu, K. Ueno, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Bird, N. Aoki
    • Nanotechnology, in press (2020)

総説，解説等†

1. 「遷移金属ダイカルコゲナイドの構造，物性，原子膜形成法」
   • 上野啓司
   • 化学と工業 Vol.72, No. 4 (2019) 335-337.
   • 会誌リンクはこちら

学会（予定も含む）†

• The Seventh International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019) (June 19-22, Nagano)
  • Growth of Crystalline Tungsten Disulfide Thin Films at 350 oC Using Metallorganic and Organic Liquid Precursors
    • Saitama Univ.　　Y. Ikeda and 〇K. Ueno
• 第57回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2019年9月3〜5日，名古屋大学）
  • Fabrication and evaluation of hBN-encapsulated Monolayer MoSe2 with CNT local gates
    • 1Nagoya Univ., 2The Univ. of Tokyo, 3Saitama Univ., 4NIMS, 5AIST　　○Takato Hotta1, Haruna Nakajima1, Taiki Inoue2, Shohei Chiashi2, Keiji Ueno3, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Shigeo Maruyama2,5 and Ryo Kitaura1
• 日本物理学会2019年秋季大会（2019年9月10〜13日，岐阜大学）
  • 1T-HfTe2における次元性制御：高分解能ARPES
    • 東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, NSRRCD, 阪大産研E, 埼玉大院理工F　○中田優樹A, 菅原克明A, B, C, Ashish ChainaniD, 山内邦彦E, 中山耕輔A, 相馬清吾B, C, Pei-Yu ChuangD, Cheng-Maw ChengD, 小口多美夫E, 上野啓司F, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C　11aD15-9
• 2019年　第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月18～21日，北海道大学）
  • 低温成膜カーボン電極ペロブスカイト太陽電池の作製と評価
    • 埼玉大院理工　〇守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇 18a-E101-10
  • 二次元(4F-PEA)2PbI4混合による高配向性・耐久性ペロブスカイト薄膜の作製と評価
    • 埼玉大院理工　〇石川 良，上野 啓司，白井 肇　18a-E101-11
  • 1T'-MoTe2バルク結晶におけるコヒーレントフォノンの観測
    • 1筑波大院数理，2産総研ナノエレ部門，3ハーゼン大，4埼玉大院理工　〇福田 拓未1，牧野 孝太郎2，齊藤 雄太2，フォンス ポール1，コロボフ アレクサンダー2,3，上野 啓司4，モンダル リチャージ1，長谷 宗明1　19a-E205-11
  • PtS2/WSe2によるp型2D-TFETにおけるBTBT電流の観測
    • 1東大工，2埼玉大理　〇佐藤 雄一朗1，中村 圭吾1，上野 啓司2，長汐 晃輔1　19a-E308-7
  • VO2/MoS2界面におけるフェルミレベルピンニング
    • 1阪大産研，2阪府大工，3JSTさきがけ，4物材機構，5埼玉大院理工　〇山本 真人1，野内 亮2,3，神吉 輝夫1，中払 周4，服部 梓1，谷口 尚4，渡邊 賢司4，若山 裕4，上野 啓司5，田中 秀和1　19a-E308-8
  • PEDOT:PSS/n-Si heterojunction solar cells with ALD-Al2O3/n-Si field effect inversion layer
    • 1Saitama University, 2Toyo University　〇Md Enamul Karim1, Tomofumi UKAI2, A.T.M. Saiful ISLAM1, Shunji KUROSU2, Yasuhiko FUJII2, Masahide TOKUDA2, Tatsuro HANAJIRI2, Ryo ISHIKAWA1, Keiji UENO1, Hajime SHIRAI1　19a-PA4-2
  • FACsPbIBrペロブスカイト結晶粒径拡大に対するTSC添加の役割
    • 1埼玉大理工研，2堀場テクノサービス　〇川村 晃希1，和才 容子2，ナタリヤ ナバトバ-ガバイン2，石川 良1，上野 啓司1，白井 肇1　20a-PB2-2
  • Dynamics of Long-lifetime Coherent Phonon in MoTe2
    • 1NeRI, AIST, 2Herzen Univ., 3Saitama Univ., 4Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba　〇Kotaro Makino1, Yuta Saito1, Paul Fons1, Alexander V. Kolobov1,2, Keiji Ueno3, Muneaki Hase4　20p-E214-14
  • 液体前駆体を用いたWS2薄膜のMBE成長
    • 埼玉大院理工　〇井上 敬道，上野 啓司　21a-PB1-70
  • β相MoTe2の大型単結晶合成
    • 埼玉大院理工　〇森 拓哉，上野 啓司　21a-PB1-74
• The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2019) (Oct. 6-10, 2019, Matsue)
  • Relaxation of Fermi-level Pinning in 2H-MoSe2 FET by Inserting 1T-phase Buffer Layers into Source/Drain Contacts
    • Saitama Univ.　〇Keiji Ueno, Tomohiro Shida, Shuuto Horii
  • Transfer characteristics of transition metal dichalcogenide transistors with VO2 contacts
    • 1Osaka University, 2Osaka Prefecture University, 3JST PRESTO, 4National Insutitute for Materials Sciennce, 5Saitama University　〇Mahito Yamamoto1, Ryo Nouchi,2,3, Teruo Kanki1, Shu Nakaharai4, Azusa N. Hattori1, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Yutaka Wakayama4, Keiji Ueno5, Hidekazu Tanaka1

• 2020年　第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月12～15日，上智大学）
  • 原子層積層構造の平坦化法の検討
    • 1名大院理，2埼玉大院理工，3物材機構　〇上田 哲大1，堀田 貴都1，上野 啓司2，渡邊 賢司3，谷口 尚3，北浦 良1　12a-PA2-62
  • Bridgman法を用いたSnSe2単結晶への13族元素ドープによる電気的挙動変化
    • 埼玉大院理工　〇赤根 大介，上野 啓司　12a-PA2-63
  • 気相成長法による層状In2Se3薄膜の形成
    • 1埼玉大院理工，2物材機構 WPI-MANA　〇近野 健人1，木津 たきお2，塚越 一仁2，上野 啓司1　12a-PA2-64
  • O3曝露酸化およびAl2O3 ALDによるWSe2 FET特性への影響
    • 埼玉大院理工　〇町田 葉祐1，上野 啓司　12a-PA2-65
  • 1T'-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクトの特性の評価
    • 1千葉大学，2埼玉大学　〇謝 天順1，大内 秀益1，坂梨 昂平1，上野 啓司2，青木 伸之1　12a-PA2-66
  • CNTローカルゲートを用いたhBN/MoSe2/hBNデバイスの作製とその評価
    • 1名大理，2東大工，3埼玉大理，4物材機構，5産総研　〇堀田 貴都1，中嶋 春奈1，井ノ上 泰輝2，千足 昇平2，上野 啓司3，渡邊 賢司4，谷口 尚4，丸山 茂夫2,5，北浦 良1　12a-PA2-74
  • FA0.8Cs0.2PbI3薄膜及び太陽電池におけるフッ素系ポリマーによる表面パシベーション効果の検討
    • 埼玉大院理工　〇守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇　13p-PA3-5
  • p+-MoS2/n-MoS2 2D-TFETにおける60 mV/dec以下のS.S.実現
    • 1東大，2物材機構，3埼玉大　〇中村 圭吾1，永村 直佳2，上野 啓司3，谷口 尚2，渡邊 賢司2，長汐 晃輔1　13p-A401-10
  • The role of water in the synthesis of AlOx thin films by a mist chemical vapor deposition
    • 1Saitama Univ., 2Toyo Univ.　〇Arifuzzaman Rajib Rajib1, Abdul Kuddus1, Karim Enamul1, Shunji Kurosu2, Tomofumi Ukai2, Yasuhiko Fujii2, Masahide Tokuda2, Tatsuro Hanajiri2, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Hajime Shirai1　12p-D419-9
  • Effect of the tunnel oxide/AlOx stacked hole-selective contacts on the junction properties at PEDOT:PSS/n-type Si interface
    • 1Saitama University, 2Toyo University　〇Md Enamul Karim1, Arifuzzaman Rajib1, Yuki Nasuno1, Tomofumi Ukai2, Shunji Kurosu2, Masahide Tokuda2, Yasuhiko Fujii2, Tatsuro Hanajiri2, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Hajime Shirai1　12p-A403-12
  • 溶液プロセスによる極薄TiOx層の形とPEDOT:PSS/n-Si系太陽電池の正孔ブロッキング層への応用
    • 1埼玉大院理工研，2東洋大バイオナノ研　〇那須野 勇樹1，Karim Enamul1，黒須 俊治2，鵜飼 智文2，徳田 正秀2，藤井 泰彦2，花尻 達郎2，石川 良1，上野 啓司1，白井 肇1　15a-PB4-2

• 日本物理学会　第75回年次大会（2020年）（2020年3月16～19日，名古屋大学）
  • 2層WSe2の異方的酸化
    • 阪大ナノ, NIMSA, 埼玉大院B, 阪大産研C　塩谷広樹, 塚越一仁A, 上野啓司B, 大岩顕C

研究会，セミナー講演（予定も含む）†

1. 「カルコゲナイド系層状物質材料の基礎と薄膜形成法」上野啓司，北陸先端科学技術大学院大学 マテリアルサイエンス系セミナー，金沢，２０１９年１２月３日（依頼講演）。
2. 「カルコゲナイド系層状物質材料の基礎と薄膜形成法」上野啓司，公益社団法人化学工学会　反応工学部会　CVD反応分科会第31回シンポジウム「二次元材料の最新動向」，東京，２０２０年２月５日（依頼講演）。
3. 「カルコゲナイド系層状物質原子膜の基礎と素子応用」上野啓司，日本学術振興会　薄膜第131委員会，マイクロビームアナリシス第141委員会，半導体界面制御技術第154委員会合同研究会「二次元層状物質の創成、評価、デバイス応用」，名古屋，２０２０年２月１７日（依頼講演）。

外部資金獲得状況†

1. 2018〜2020年度　科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）一般　代表：上野啓司　「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」

学会等の活動†

• 第32回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2019)）論文委員
• 日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　2019年度委員
• The 7th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies（EM-NANO 2019）論文委員
• The 11st annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference（RPGR2019）プログラム委員
• 日本学術振興会　第147委員会委員