活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2016 の履歴(No.18)
研究室教員†
研究課題†
- カルコゲナイド系層状物質の単結晶形成,単層剥離と素子応用
- 他のさまざまな層状物質の単結晶形成,単層剥離と素子応用
- 炭素系材料/シリコンヘテロ接合太陽電池の開発
- 溶液塗布法によるグラフェン薄膜形成とさまざまな素子への応用
- 可溶化グラフェンを用いた新奇機能性材料の開発
- 層状物質のラマン分光測定
- 塗布・印刷法による有機薄膜素子(電界効果トランジスタ,太陽電池)形成
発表論文†
- "Effect of substrate bias on mist deposition of conjugated polymer on textured crystalline-Si for efficient c-Si/organic heterojunction solar cells"
- T. Ohki, K. Ichikawa, J. Hossain, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
- Phys. Status Solidi A 213 (2016) 1922–1925
- DOI:10.1002/pssa.201532951
- ”Carrier Polarity Control in α-MoTe2 Schottky Junctions Based on Weak Fermi Level Pinning"
- S. Nakaharai, M. Yamamoto, K. Ueno, and K. Tsukagoshi
- ACS Appl. Mater. Interfaces 8 (2016) 14732–14739
- DOI:10.1021/acsami.6b02036
- "Correlation between Fine Structure of Spin-Coated PEDOT:PSS and Photovoltaic Performance of Organic/Crystalline-Silicon Heterojunction Solar Cells"
- S. Funada, T. Ohki, Q. Liu, J. Hossain, Y. Ishimaru, K. Ueno, and H. Shirai
- J. Appl. Phys. 120 (2016) 033103 (7 pages)
- DOI:10.1063/1.4958845
- "Monolayer 1T-NbSe2 as a Mott insulator"
- Y. Nakata, K. Sugawara, R. Shimizu, Y. Okada, P. Han, T. Hitosugi, K. Ueno, T. Sato and T. Takahashi
- NPG Asia Materials 8 (2016) e321 (5 pages)
- DOI:10.1038/am.2016.157
- "Synthesis of High-Quality Large-Area Homogenous 1T′ MoTe2 from Chemical Vapor Deposition"
- L. Zhou, A. Zubair, Z. Wang, X. Zhang, F. Ouyang, K. Xu, W. Fang, K. Ueno, J. Li, T. Palacios, J. Kong, and M. S. Dresselhaus
- Adv. Mater. 28 (2016) 9526–9531
- DOI:10.1002/adma.201602687
- "Role of Isopropyl Alcohol Solvent in the Synthesis of Organic–Inorganic Halide CH(NH2)2PbIxBr3–x Perovskite Thin Films by a Two-Step Method"
- T. Yamanaka, K. Masumori, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
- J. Phys. Chem. C 120 (2016) 25371–25377
- DOI:10.1021/acs.jpcc.6b07527
- "Nafion-Modified PEDOT:PSS as a Transparent Hole-Transporting Layer for High-Performance Crystalline-Si/Organic Heterojunction Solar Cells with Improved Light Soaking Stability"
- J. Hossain, Q. Liu, T. Miura, K. Kasahara, D. Harada, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
- ACS Appl. Mater. Interfaces 8 (2016) 31926–31934
- DOI:10.1021/acsami.6b10272
- "Fabrication of {CH(NH2)2}1-xCsxPbI3 perovskite thin films by two-step method and its application to thin film solar cells"
- R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
- Chem. Lett. 46 (2017) 612-615
- DOI:10.1246/cl.161194
総説,解説等†
- 新聞記事掲載
- 「同一元素で金属/半導体 東北大など,作り分け成功」
- 化学工業日報 2016年11月16日(水)
- 新聞記事掲載
- 「東北大,東工大,埼玉大の研究グループ 正八面体構造のセレン化ニオブ原子層薄膜作製成功」
- 科学新聞 2016年11月18日(金)
- 「カルコゲナイド系層状物質の最新研究」
- 上野啓司,安藤淳,島田敏宏 共同監修,シーエムシー出版,2016,ISBN 978-4-7813-1166-1
- 執筆担当 「刊行にあたり」,第2編「合成・構造制御」第1章「カルコゲナイド系層状物質の単結晶成長とその応用」
学会(予定も含む)†
- 9th International Symposium on Organic Molecular Electronics (ISOME 2016) (May 18 - 20, 2016, Niigata)
- Application of van der Waals 2D materials to atomic layer electronics
- Saitama University Keiji Ueno I5-2 (Invited)
- 日本物理学会 2016年秋季大会(2016年9月13日〜16日,金沢大学)
- Bi超薄膜1T-TaS2におけるバンド構造の異常な振る舞い:高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPIB, 埼玉大理工C ○山田敬子A, C. TrangA, 相馬清吾B, 菅原克明B, 佐藤宇史A, 上野啓司C, 高橋隆A, B 13aAG-7
- NbSe2原子層薄膜における微細電子構造:高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPIB, 東工大院理工C, 埼玉大院理工D 中田優樹A, 菅原克明B, 相馬清吾B, 佐藤宇史A, 清水亮太B, C, 一杉太郎B, C, 上野啓司D, 高橋隆A, B 15aAM-9
- グラフェン上に作製したNbSe2薄膜の高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPIB, 東工大院理工C, 埼玉大院理工D 中田優樹A, 菅原克明B, 相馬清吾B, 佐藤宇史A, 清水亮太B, C, 一杉太郎B, C, 上野啓司D, 高橋隆A, B 15pPSA-48
- 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会(2016年9月13〜16日,朱鷺メッセ(新潟))
- 層状超伝導体NbSe2薄膜の超伝導転移
- 1筑波大数理物質,2PRESTO-JST,3NIMS,4埼玉大 〇矢部 大輔1,鑓水 勝秀1,園田 大樹1,大塚 洋一1,友利 ひかり1,2,渡邊 賢司3,谷口 尚3,上野 啓司4,神田 晶申1 13p-P5-59
- 二硫化タングステンFETの動作特性とその金属−半導体界面状態の評価
- 埼玉大院理工 〇河合 信哉,上野 啓司 13p-P5-61
- 二セレン化ハフニウム原子層の電界効果トランジスタ応用
- 埼玉大院理工 〇新倉 伸幸,河合 信哉,上野 啓司 13p-P5-62
- 層状13族カルコゲナイド単結晶を用いたトップゲート型FETの作製
- 埼玉大院理工 〇田村 透,上野 啓司 13p-P5-63
- カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用
- 1埼玉大院理工,2神戸製鋼電技研 〇荻原 えりな1,川上 信之2,上野 啓司1 13p-P5-64
- 結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池(シンポジウム ナノ界面現象と評価技術の現状と課題)
- 1埼玉大理工研,2KIS 〇白井 肇1,劉 希明1,林 勉2,石川 良1,上野 啓司1 13p-B7-8
- はじめに:遷移金属ダイカルコゲナイド原子薄膜の成膜技術(シンポジウム 機能性原子薄膜材料の新展開-成膜技術-)
- 埼玉大院理工 〇上野 啓司 14p-A33-1(招待講演)
- グラフェン/層状超伝導体NbSe2直接接合における超伝導近接効果
- 1筑波大数理物質,2PRESTO-JST,3NIMS,4埼玉大 〇鑓水 勝秀1,大塚 洋一1,友利 ひかり1,2,渡邊 賢司3,谷口 尚3,上野 啓司4,神田 晶申1 15a-A33-6
- Nafion-Modified PEDOT:PSS/c-Si Solar Cells
- Saitama Univ. 〇Qiming Liu, Jaker Hossain, Takuya Miura, Daisuke Harada, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Hajime Shirai 15p-P13-2
- NbSe2/WSe2ファンデルワールスヘテロ接合における伝導特性
- 1東大生研,2埼玉大院理工,3物材機構,4東大ナノ量子,5JST-CREST 〇佐田 洋太1,守谷 頼1,上野 啓司2,星 裕介1,増渕 覚1,渡邊 賢司3,谷口 尚3,町田 友樹1,4,5 16a-A32-4
- 二段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価
- 埼玉大学院理工 〇石川 良,上野 啓司,白井 肇 16p-A41-3
- 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会(2017年3月14〜17日,パシフィコ横浜)
- 二硫化タングステンFET動作特性の温度依存性
- 埼玉大院理工 〇河合 信哉,上野 啓司 14p-P4-75
- PMMAバッファー層を有する層状13族カルコゲナイド単結晶FETの作製
- 埼玉大院理工 〇田村 透,上野 啓司 14p-P4-76
- 原子層半導体/強相関酸化物ヘテロ構造の創製と電気特性評価
- 1阪大産研,2阪府大N2RC,3埼玉大院理工 〇山本 真人1,神吉 輝夫1,服部 梓1,野内 亮2,上野 啓司3,田中 秀和1 16a-F203-1
- 層状薄片添加による有機無機ヘテロ接合太陽電池の高性能化
- 埼玉大院理工 〇木村 貴大,石川 良,白井 肇,上野 啓司 16p-P6-11
- 添加剤を用いた一段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価
- 埼玉大院理工 〇石川 良,上野 啓司,白井 肇 17a-303-15
- 日本物理学会 第72回年次大会(2017年)(2017年3月17〜20日,大阪大学)
- カルコゲナイド系強磁性層状物質Cr1/3TaS2の伝導特性
- 東大生産研A,東大院工B,埼玉大院理工C,CREST-JSTD 山崎雄司A,荒井美穂A,守谷頼A,増渕覚A,卞舜生B,為ヶ井強B,上野啓司C,町田友樹A, D 18aB21-1
- 原子層1T-NbSe2の高分解能ARPES
- 東北大院理A,東北大WPI-AIMRB,東北大CSRNC,東工大院理工D,埼玉大院理工E 中田優樹A,菅原克明B, C,清水亮太B, D,岡田佳憲B,Patrick HanB,佐藤宇史A, C,一杉太郎B, D,上野啓司E,高橋隆A, B, C 18aB21-8
研究会,セミナー講演(予定も含む)†
- 「カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用」上野啓司,電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)(応用物理学会・シリコンテクノロジー分科会との合同開催) ,東京,2016年6月29日(依頼講演)。
- 「2次元層状物質の合成及びデバイスの現状と未来展望」上野啓司,日本学術振興会 ナノプローブテクノロジー第167委員会 第83回研究会,東京,2016年7月19日(依頼講演)。
- 「2次元層状物質単結晶の合成,原子層形成と素子応用」上野啓司,新化学技術推進協会(JACI)電子情報技術部会 エレクトロニクス交流会応用技術企画WG 講演会,東京,2016年7月26日(依頼講演)。
- 「層状カルコゲナイドの単結晶合成とデバイス応用」上野啓司,物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」,東京,2016年12月20日(依頼講演)。
アウトリーチ活動†
- 私立富士見中学高等学校 模擬授業「塗るだけでできる太陽電池」参加者:中高校生39名+教員 2016年6月18日
外部資金獲得状況†
- 平成25〜29年度 科学研究費補助金 新学術領域研究(研究領域提案型)
- 埼玉大学先端産業研究開発プロジェクト「次世代有機太陽電池の研究開発」参加
学会等の活動†