活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2018 の履歴(No.16)
研究室教員†
研究課題†
- 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
- 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
発表論文†
- "Anisotropic Band Splitting in Monolayer NbSe2: Implications for Superconductivity and Charge Density Wave"
- Y. Nakata, K. Sugawara, S. Ichinokura, Y. Okada, T. Hitosugi, T. Koretsune, K. Ueno, S. Hasegawa, T. Takahashi, and T. Sato
- npj 2D Materials and Applications 2 (2018) 12
- DOI:10.1038/s41699-018-0057-3
- "Fabrication and Surface Engineering of Two-Dimensional SnS Toward Piezoelectric Nanogenerator Application"
- N. Higashitarumizu, H. Kawamoto, K. Ueno and Kosuke Nagashio
- MRS Advances (2018) 1-6
- DOI:10.1557/adv.2018.404
- "Pronounced photogating effect in atomically thin WSe2 with a self-limiting surface oxide layer"
- M. Yamamoto, K. Ueno and K. Tsukagoshi
- Appl. Phys. Lett. 112 (2018) 181902 (5 pages)
- DOI:10.1063/1.5030525
- "Ultrathin Bismuth Film on 1T-TaS2: Structural Transition and Charge-Density-Wave Proximity Effect"
- K. Yamada, S. Souma, K. Yamauchi, N. Shimamura, K. Sugawara, C. Trang, T. Oguchi, K. Ueno, T. Takahashi, T. Sato
- Nano Lett. 18 (2018) 3235–3240
- DOI:10.1021/acs.nanolett.8b01003
- "Fabrication of [CH(NH2)2]0.8Cs0.2PbI3 perovskite thin films for n-i-p planar-structure solar cells by a one-step method using 1-cyclohexyl-2-pyrrolidone as an additive"
- R. Ishikawa, K. Ueno and H. Shirai
- Chem. Lett. 47 (2018) 905-908
- DOI:10.1246/cl.180216
- "2-Dimensional Tunnel FETs with a Stable Charge-Transfer-Type p+-WSe2 Source
- J. He, N. Fang, K. Nakamura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
- Adv. Electron. Mater. 4 (2018) 1800207
- DOI:10.1002/aelm.201800207
学会（予定も含む）†
- 日本分析化学会 第67年会（2018年9月12～14日，東北大学川内北キャンパス）
- SnS2二次元薄膜における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング
- 東北大院環境1，東北大AIMR2，東北大院工3，埼玉大院理工4，金沢大WPI-NanoLSI5 ○小川 寛人1，熊谷 明哉1,2，上野 啓司4，井田 大貴1，高橋 康史5，末永 智一1，珠玖 仁3 Y1108
- 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会（2018年9月18〜21日，名古屋国際会議場）
- レーザー照射による2層WSe2の最表層選択的酸化
- 1阪大ナノセンター，2WPI-MANA 物材機構，3埼玉大院理工，4阪大産研 〇塩谷 広樹1，塚越 一仁2，上野 啓司3，大岩 顕4 18p-224B-2
- 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（３）
- 埼玉大院理工 〇池田 幸弘，上野 啓司 18p-PB3-79
- カリウム塩をアシスト剤に用いた単層 MoS2 及び WS2 の化学気相成長
- 埼玉大院理工 〇五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司 18p-PB3-80
- ALD成長In2O3薄膜のSe化
- 1埼大院理工，2物材機構 〇近野 健人1，木津 たきお2，塚越 一仁2，上野 啓司1 18p-PB3-81
- 表面酸化によるWSe2上のALD成長Al2O3膜質改善
- 埼玉大院理工 〇町田 葉祐，上野 啓司 18p-PB3-87
- SnSe2 FETのInドープによる電気的挙動変化
- 埼玉大院理工 〇赤根 大介，上野 啓司 18p-PB3-89
- ヒ素をドープした MoSe2 FET の動作特性 (2)
- 埼玉大院理工 〇堀井 嵩斗，上野 啓司 18p-PB3-90
- Passivation of nanopillar Si surface by ALD-Al2O3 and its effect on PV performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells
- 1Saitama University, 2Toyo University 〇Md Enamul Karim1, R. Ishikawa1, K. Ueno1, H. Shirai1, S. Kurosu2, Y. Nakajima2, Y. Fujii2, M. Tokuda2, T. Hanajiri2 19p-PA5-4
- 遷移金属ダイカルコゲナイド強磁性体の物性とヘテロ構造作製
- 1東大生研，2東大院工，3埼大院理工，4CREST-JST 〇守谷 頼1，山崎 雄司1，荒井 美穂1，増渕 覚1，卞 舜生2，為ヶ井 強2，上野 啓司3，町田 友樹1,4 19p-331-2
- 添加剤を用いた一段階法によるKx(FA0.8Cs0.2)1-xPbI3薄膜の作製及び評価
- 埼大院理工 〇石川 良1，上野 啓司1，白井 肇 20a-432-6
- Photovoltaic performance of PEDOT:PSS/c-Si junction solar cells by adding ferroelectric polymer thin-layer
- 1Saitama University, 2Ideal Star Inc. 〇ATM Saiful Islam1, R. Ishikawa1, K. Ueno1, H. Shirai1, K. Omote2, K. Yokoo1 20p-133-12
- Exciton Diffusion in a hBN-encapsulated Monolayer Transition Metal Dichalcogenide
- 1Nagoya Univ., 2Saitama Univ., 3NIMS 〇Takato Hotta1, Syohei Higuchi1, Yosuke Uchiyama1, Keiji Ueno2, Kenji Watanabe3, Takashi Taniguchi3, Hisanori Shinohara1, Ryo Kitaura1 20p-221B-3
- Role of Traps in Few Layer n-ReS2 Phototransistor on top of p-MoTe2 Layer
- 1Natl. Inst. For Materials Science, 2Saitama University 〇Bablu Mukherjee1, Mohd Amir Zulkefli1, Keiji Ueno2, Yutaka Wakayama1, Shu Nakaharai1 21p-PB3-4
研究会，セミナー講演（予定も含む）†
外部資金獲得状況†
- 2018〜2020年度 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ）一般 代表：上野啓司 「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」
学会等の活動†
