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• 活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2021 へ行く。
  • 1 (2021-04-01 (木) 09:14:50)
  • 2 (2021-04-01 (木) 11:54:59)
  • 3 (2021-04-12 (月) 17:44:19)
  • 4 (2021-04-12 (月) 17:44:19)
  • 5 (2021-07-12 (月) 14:22:58)
  • 6 (2021-08-06 (金) 19:28:30)
  • 7 (2021-09-10 (金) 18:22:39)
  • 8 (2021-10-21 (木) 12:46:39)
  • 9 (2021-11-04 (木) 21:09:40)
  • 10 (2021-11-18 (木) 17:37:07)
  • 11 (2021-12-28 (火) 18:34:04)
  • 12 (2022-01-10 (月) 18:59:58)
  • 13 (2022-01-27 (木) 15:00:14)
  • 14 (2022-03-08 (火) 20:24:51)
  • 15 (2022-06-16 (木) 17:27:11)

研究室教員†

• 教授　上野　啓司（研究室Webページ）
• Researcher ID: B-2741-2012
• ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382

研究課題†

1. 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
2. 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
3. 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
4. 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定

発表論文†

1. "Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS2 and SnSe2: Exploration of n+-Source for 2D Tunnel FETs"
   • Y. Sato, T. Nishimura, D. Duanfei, K. Ueno, K. Shinokita, K. Matsuda and K. Nagashio
   • Adv. Electron. Mater. 7 (2021) 2100292
   • DOI:10.1002/aelm.202100292
2. "Mist chemical vapor deposition of crystalline MoS2 atomic layer films using sequential mist supply mode and its application in field-effect transistors"
   • A. Kuddus, A. Rajib, K. Yokoyama, T. Shida, K. Ueno and H. Shirai
   • Nanotechnology 33 (2022) 045601
   • DOI:10.1088/1361-6528/ac30f4
3. "Quantitative Determination of Contradictory Band Gap Values of Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties"
   • W. Nishiyama, T. Nishimura, K. Ueno, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
   • Adv. Func. Mater., in press (2021)
   • DOI:10.1002/adfm.202108061
4. "Photo-induced Tellurium segregation in MoTe2"
   • T. Fukuda, R. Kaburauchi, Y. Saito, K. Makino, P. Fons, K. Ueno and M. Hase
   • Phys. Stat. Solidi RRL, in press (2022)

学会（予定も含む）†

• 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (ssdm2021) (Sep. 6-9, virtual conference)
  • Qualitative Judgement of Inconsistent Band Gap Values for Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties
    • 1Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3NIMS　〇Wataru Nishiyama1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1　H-4-03
  • 50 ns Ultrafast P/E Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device
    • 1Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3NIMS　〇Taro Sasaki1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1　H-6-04
  • Polarity transition from n-type to p-type WS2 FET by controlling Schottky barrier
    • 1Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3NIMS　〇Ryoichi Kato1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1　H-6-09

• 2021年　第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月10～13日（口頭）21～23日（ポスター）、オンライン開催）
  • フルオロフェニルリン酸添加によるペロブスカイト太陽電池の高性能化
    • 埼玉大院理工　〇石川 良、上野 啓司、白井 肇　11a-N322-2
  • Synthesis of 2D MoS2 and WS1-xSex thin films by Mist-CVD
    • Saitama University 〇Abdul A Kuddus, Arifuzzaman Rajib, Ryotaro Kizaki, Kojun Yokoyama, Keiji Ueno, Hajime Shirai　11a-N302-4
  • バルクPdSe2のバンドギャップ値に対する電気伝導特性からの定量的評価
    • 1東大工、2埼玉大理工、3物質・材料研　〇西山 航1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1　11p-N302-1
  • Ag-TFSI処理によるWSe2へのホールドーピング
    • 1都立大理、2埼玉大院理工、3京都工繊大　〇鈴木 駿太1、小倉 宏斗1、中西 勇介1、林 宏恩1、遠藤 尚彦1、上野 啓司2、野々口 斐之3、宮田 耕充1　12a-N307-4
  • 高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作
    • 1東大工、2埼玉大理、3物材機構　〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邉 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1　13a-N307-1
  • Mist-CVD法によるTiOx, AlOx膜におけるバイアス印加の効果
    • 埼玉大理工　〇横山 工純、アリフザマン ラジブ、アブドゥル クドゥス、志田 知洋、上野 啓司、白井 肇　13a-S201-8
  • 二次元材料の超格子構造による発光色変換膜の作製
    • 1信州大工、2信州大　先鋭材料研、3埼玉大院理工)　〇坪井 佑篤1、浦上 法之2、橋本 佳男2、上野 啓司3　23p-P11-22
  • プラズマ照射を用いた1T相WSe2薄膜の形成
    • 埼玉大院理工　〇志田 知洋、上野 啓司　23p-P13-16
  • 低温ALD成長したWS2薄膜の素子応用
    • 埼玉大院理工　〇福島 崇史、上野 啓司　23p-P13-17

• 日本物理学会2021年秋季大会（2021年9月20〜23日、オンライン開催）
  • TiSe2の角度分解・共鳴角度分解光電子分光
    • 阪大産研、埼玉大理工A、分子研UVSORB　○田中慎一郎、上野啓司A、松井文彦B　21pE2-3

• 日本物理学会　2022年第77回年次大会（2022年3月15～19日、岡山大学・岡山理科大学）
  • 光電子運動量顕微鏡によるTaS2のCDW観察
    • 分子研, 阪大産研A, 北陸先端大B, 埼大院理工C, 阪大院工D　松井文彦, 菅滋正A, 田中慎一郎A, 小矢野幹夫B, 上野啓司C, 小林宇宏D, 岩本恵実D, 坂本一之D　16pB26-8
  • 2H-MoTe2の長寿命コヒーレントフォノン周期駆動系における非平衡定常状態
    • 筑波大数理, 産総研A, 慶大電情B, Herzen大C, 埼大理工D　福田拓未, 牧野孝太郎A, 齊藤雄太A, Paul FonsB, Alexander V. KolobovC, 安藤淳A, 森拓哉D, 石川良D, 上野啓司D, Jessica Afalla, 長谷宗明　17pB24-8

• 2022年　第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月22～26日、ハイブリッド開催（青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン））
  • 光電流測定によるバルクPdSe2のバンドギャップ値評価と光応答機構の考察
    • 1東大、2埼玉大　〇西山 航1、西村 知紀1、西岡 政雄1、上野 啓司2、岩本 敏1、長汐 晃輔1　22a-E203-8
  • Terahertz emission from single crystal MoSe2
    • 1Univ. Tsukuba, 2Univ. Fukui, 3Saitama Univ.　〇JessicaPauline Castillo Afalla1, Joselito Echavez Muldera2, Semmi Takamizawa1, Takumi Fukuda1, Keiji Ueno3, Masahiko Tani2, Muneaki Hase1　22p-F407-8
  • 結晶性二硫化タングステン薄膜の低温成長
    • 埼玉大院理工　〇齋藤 修士、上野 啓司　22p-P03-20
  • 原子層堆積法を用いた結晶性二硫化モリブデンの領域選択成長
    • 埼玉大院理工　〇山田 真矢、上野 啓司　22p-P03-21
  • プラズマ照射によるMoSe2 FET特性への影響
    • 埼玉大院理工　〇志田 知洋、上野 啓司　22p-P06-14
  • 剥離により得られた2H-NbS2薄膜 における BKT相転移の 評価
    • 1千葉大工、2埼玉大院理工　〇謝 天順1、坂梨 昂平1、上野 啓司2、青木 伸之1　22p-P06-15
  • [第51回講演奨励賞受賞記念講演] 2D メモリデバイス超高速動作の物理的起源
    • 1東大工、2埼玉大理、3物材機構　〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邉 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1　23a-E101-1
  • ショットキー障壁制御によるn型WSe2FETのp型動作
    • 1東大工、2埼玉大理、3物材機構　〇加藤 諒一1、西村 知紀1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、長汐 晃輔1　23a-E101-4
  • WSe2のp型動作に向けたAu/Bi薄膜の仕事関数変調効果
    • 1東京大、2埼玉大　〇中島 隆一1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1　23a-E101-5

研究会，セミナー講演（予定も含む）†

アウトリーチ活動†

1. 埼玉大学 ハイグレード理数高校生育成プログラム HiGEPS（ハイジェップス）　HiGEPS基礎セミナー+ レビュータイム　「層状物質半導体のデバイス応用研究について」　2021年7月17日（土）

外部資金獲得状況†

1. 2021〜2023年度　学術研究助成基金助成金　基盤研究（Ｃ）　代表：上野啓司　「触媒効果による層状化合物原子膜の低温単結晶成長実現」

学会等の活動†

• 第34回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（34th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2021)）論文委員
• 日本表面真空学会　真空技術調査部会　研究例会企画専門部会　2021年度委員