活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2019 の履歴(No.13)
研究室教員†
研究課題†
- 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
- 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
発表論文†
- "Highly crystalline large-grained perovskite films using two additives without an antisolvent for high-efficiency solar cells"
- "Dimensionality reduction and band quantization induced by potassium intercalation in 1T-HfTe2
- Y. Nakata, K. Sugawara, A. Chainani, K. Yamauchi, K. Nakayama, S. Souma, P.-Y. Chuang, C.-M. Cheng, T. Oguchi, K. Ueno, T. Takahashi, and T. Sato
- Phys. Rev. Mater. 3 (2019) 071001(R)
- DOI:10.1103/PhysRevMaterials.3.071001
- "Barrier Formation at the Contacts of Vanadium Dioxide and Transition-Metal Dichalcogenides"
- M. Yamamoto, R. Nouchi, T. Kanki, S. Nakaharai, A. N. Hattori, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Wakayama, K. Ueno, and H. Tanaka
- ACS Appl. Mater. Interfaces 11 (2019) 36871-36879
- DOI:10.1021/acsami.9b13763
- "Low-temperature growth of crystalline tungsten disulfide thin films by using organic liquid precursors"
- "Role of the solvent in large crystal grain growth of inorganic-organic halide FA0.8Cs0.2PbIxBr3−x perovskite thin films monitored by ellipsometry
- K. Kawamura, R. Ishikawa, Y. Wasai, N. Nabatova-Gabain, S. Kurosu, T. Ukai, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, K. Ueno, and H. Shirai
- J. Vac. Sci. & Technol. B 37 (2019) 062401
- DOI:10.1116/1.5123399
- "Selective oxidation of the surface layer of bilayer WSe2 by laser heating"
総説，解説等†
- 「遷移金属ダイカルコゲナイドの構造，物性，原子膜形成法」
- 上野啓司
- 化学と工業 Vol.72, No. 4 (2019) 335-337.
- 会誌リンクはこちら
学会（予定も含む）†
- The Seventh International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019) (June 19-22, Nagano)
- Growth of Crystalline Tungsten Disulfide Thin Films at 350 oC Using Metallorganic and Organic Liquid Precursors
- Saitama Univ. Y. Ikeda and 〇K. Ueno
- 第57回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2019年9月3〜5日，名古屋大学）
- Fabrication and evaluation of hBN-encapsulated Monolayer MoSe2 with CNT local gates
- 1Nagoya Univ., 2The Univ. of Tokyo, 3Saitama Univ., 4NIMS, 5AIST ○Takato Hotta1, Haruna Nakajima1, Taiki Inoue2, Shohei Chiashi2, Keiji Ueno3, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Shigeo Maruyama2,5 and Ryo Kitaura1
- 日本物理学会2019年秋季大会（2019年9月10〜13日，岐阜大学）
- 1T-HfTe2における次元性制御：高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, NSRRCD, 阪大産研E, 埼玉大院理工F ○中田優樹A, 菅原克明A, B, C, Ashish ChainaniD, 山内邦彦E, 中山耕輔A, 相馬清吾B, C, Pei-Yu ChuangD, Cheng-Maw ChengD, 小口多美夫E, 上野啓司F, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C 11aD15-9
- 2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月18～21日，北海道大学）
- 低温成膜カーボン電極ペロブスカイト太陽電池の作製と評価
- 埼玉大院理工 〇守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇 18a-E101-10
- 二次元(4F-PEA)2PbI4混合による高配向性・耐久性ペロブスカイト薄膜の作製と評価
- 埼玉大院理工 〇石川 良，上野 啓司，白井 肇 18a-E101-11
- 1T'-MoTe2バルク結晶におけるコヒーレントフォノンの観測
- 1筑波大院数理，2産総研ナノエレ部門，3ハーゼン大，4埼玉大院理工 〇福田 拓未1，牧野 孝太郎2，齊藤 雄太2，フォンス ポール1，コロボフ アレクサンダー2,3，上野 啓司4，モンダル リチャージ1，長谷 宗明1 19a-E205-11
- PtS2/WSe2によるp型2D-TFETにおけるBTBT電流の観測
- 1東大工，2埼玉大理 〇佐藤 雄一朗1，中村 圭吾1，上野 啓司2，長汐 晃輔1 19a-E308-7
- VO2/MoS2界面におけるフェルミレベルピンニング
- 1阪大産研，2阪府大工，3JSTさきがけ，4物材機構，5埼玉大院理工 〇山本 真人1，野内 亮2,3，神吉 輝夫1，中払 周4，服部 梓1，谷口 尚4，渡邊 賢司4，若山 裕4，上野 啓司5，田中 秀和1 19a-E308-8
- PEDOT:PSS/n-Si heterojunction solar cells with ALD-Al2O3/n-Si field effect inversion layer
- 1Saitama University, 2Toyo University 〇Md Enamul Karim1, Tomofumi UKAI2, A.T.M. Saiful ISLAM1, Shunji KUROSU2, Yasuhiko FUJII2, Masahide TOKUDA2, Tatsuro HANAJIRI2, Ryo ISHIKAWA1, Keiji UENO1, Hajime SHIRAI1 19a-PA4-2
- FACsPbIBrペロブスカイト結晶粒径拡大に対するTSC添加の役割
- 1埼玉大理工研，2堀場テクノサービス 〇川村 晃希1，和才 容子2，ナタリヤ ナバトバ-ガバイン2，石川 良1，上野 啓司1，白井 肇1 20a-PB2-2
- Dynamics of Long-lifetime Coherent Phonon in MoTe2
- 1NeRI, AIST, 2Herzen Univ., 3Saitama Univ., 4Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba 〇Kotaro Makino1, Yuta Saito1, Paul Fons1, Alexander V. Kolobov1,2, Keiji Ueno3, Muneaki Hase4 20p-E214-14
- 液体前駆体を用いたWS2薄膜のMBE成長
- 埼玉大院理工 〇井上 敬道，上野 啓司 21a-PB1-70
- β相MoTe2の大型単結晶合成
- 埼玉大院理工 〇森 拓哉，上野 啓司 21a-PB1-74
- The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2019) (Oct. 6-10, 2019, Matsue)
- Relaxation of Fermi-level Pinning in 2H-MoSe2 FET by Inserting 1T-phase Buffer Layers into Source/Drain Contacts
- Saitama Univ. 〇Keiji Ueno, Tomohiro Shida, Shuuto Horii
- Transfer characteristics of transition metal dichalcogenide transistors with VO2 contacts
- 1Osaka University, 2Osaka Prefecture University, 3JST PRESTO, 4National Insutitute for Materials Sciennce,
5Saitama University 〇Mahito Yamamoto1, Ryo Nouchi,2,3, Teruo Kanki1, Shu Nakaharai4, Azusa N. Hattori1, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Yutaka Wakayama4, Keiji Ueno5, Hidekazu Tanaka1
研究会，セミナー講演（予定も含む）†
外部資金獲得状況†
- 2018〜2020年度 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ）一般 代表：上野啓司 「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」
学会等の活動†
