活動報告・予告/Annual Reports/上野研究室2020 の履歴(No.10)
研究室教員†
研究課題†
- 遷移金属ダイカルコゲナイド等のカルコゲナイド系層状物質単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 他のさまざまな層状物質の単結晶形成，単層剥離と素子応用
- 化学気相成長法（CVD），原子層堆積法（ALD）によるカルコゲナイド系層状物質単結晶薄膜の成長
- 層状物質のラマン分光測定，表面電子分光測定
発表論文†
- "Synthesis of AlOx thin films by atmospheric pressure mist chemical vapor deposition for surface passivation and electrical insulator layers"
- A. Rajib, K. M. Enamul, S. Kurosu, T. Ukai, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
- J. Vac. Sci. Technol. A 38 (2020) 033413
- DOI:10.1116/1.5143273
- "Flat bands in twisted bilayer transition metal dichalcogenides"
- "Effect of thermally annealed atomic-layer-deposited AlOx/chemical tunnel oxide stack layer at the PEDOT:PSS/n-type Si interface to improve its junction quality"
- Md E. Karim, Y. Nasuno, A. Kuddus, T. Ukai, S. Kurosu, M. Tokuda, Y. Fujii, T. Hanajiri, R. Ishikawa, K. Ueno, and H. Shirai
- J. Appl. Phys. 128 (2020) 045305
- DOI:10.1063/5.0007918
- "Facile and reversible carrier-type manipulation of layered MoTe2 toward long-term stable electronics"
- M. Li, C.-Y. Lin, Y.-M. Chang, S.-H. Yang, M.-P. Lee, C.-F. Chen, K.-C. Lee, F.-S. Yang, Y. Chou, Y.-C. Lin, K. Ueno, Y. Shi, Y.-C. Chou, K. Tsukagoshi, Y.-F. Lin
- ACS Appl. Mater. Interfaces, accepted for publication.
学会（予定も含む）†
- 2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月8～11日，オンライン開催）
- 浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解
- 1東大工，2埼玉大理，3物材機構 〇佐々木 太郎1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 賢司3，西村 知紀1，長汐 晃輔1 11p-Z29-10
- 浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解
- 1東大工，2埼玉大理，3物材機構 〇佐々木 太郎1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 賢司3，西村 知紀1，長汐 晃輔1 11p-Z29-11
- 低バリアの実現に向けた1T’-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクト特性の評価
- 1千葉大学，2埼玉大学 〇謝 天順&super{1}，;大内 秀益&super{1}，坂梨 昂平&super{1}，上野 啓司&super{2}，青木 伸之&super{1}， 11a-Z29-13
- 完全2次元ヘテロTFETによる室温での60mV/dec以下のSS実現
- 1東大，2NIMS，3埼玉大 中村 圭吾1，永村 直佳2，上野 啓司3，谷口 尚2，渡邊 賢司2，〇長汐 晃輔1 11p-Z29-16
- 日本物理学会2020年秋季大会（2020年9月8〜11日，オンライン開催）
- 波数空間におけるMoS2価電子バンドの原子軌道への分解
- 阪大産研, 埼玉大理工A, 分子研UVSORB 〇田中慎一郎, 上野啓司A，松田博之B，松井文彦B 9aE2-3
- 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)(Sep.
27-30, virtual conference)
- The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET
- K. Nakamura1, N. Nagamura2, K. Ueno3, T. Taniguchi2, K. Watanabe2, 〇Kosuke Nagashio1 (1. The University of Tokyo(Japan), 2. National Institute for Materials Science(Japan), 3. Saitama University(Japan)) H-9-01
- Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage
- 〇Taro Sasaki1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1 (1. Univ. of Tokyo(Japan), 2. Saitama Univ.(Japan), 3. NIMS(Japan)) H-9-04
研究会，セミナー講演（予定も含む）†
外部資金獲得状況†
- 2018〜2020年度 科学研究費補助金 基盤研究（Ｂ）一般 代表：上野啓司 「高蒸気圧原料による低温ファンデルワールス・エピタキシー」
学会等の活動†
